一种液相外延法制取薄膜的装置制造方法及图纸

技术编号:3874747 阅读:237 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种液相外延法制取薄膜的装置,涉及一种外延生长设备。其包括:一阀室,阀室内装有一升降旋转轴;一炉室,位于阀室的下方;一坩埚,位于炉室内;一用来加热所述坩埚内原料的加热装置;其特征在于:还包括一石墨花篮,所述的石墨花篮位于炉体内,可在阀室内及炉室内上下运动,石墨花篮上端与升降旋转轴可拆卸连接。本发明专利技术可一次装入多片衬底片于花篮的上下夹板之间,可一次性生产多个外延片;花篮可随着升降旋转轴旋转,使衬底片周围各处溶液浓度均匀,消除了温度场不均匀带来的生长差异,生长出来的外延片厚度均匀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液相外延装置,特别涉及一种液相外延法制取薄膜的装置
技术介绍
液相外延法是由溶液中析出固相物质并沉积在衬底上生成单晶薄层的方法。液相 外延由尼尔松于1963年专利技术,成为化合物半导体单晶薄层的主要生长方法,被广泛的用于 电子器件的生产上。薄层材料和衬底材料相同的称为同质外延,反之称为异质外延。液相 外延可分为倾斜法、垂直法和滑舟法三种,其中倾斜法是在生长开始前,使石英管内的石英 容器向某一方向倾斜,并将溶液和衬底分别放在容器内的两端;垂直法是在生长开始前,将 溶液放在石墨坩锅中,而将衬底放在位于溶液上方的衬底架上;滑舟法是指外延生长过程 在具有多个溶液槽的滑动石墨舟内进行。在外延生长过程中,可以通过四种方法进行溶液 冷却平衡法、突冷法、过冷法和两相法。 然而,常用的以上方法中,通常存在以下缺陷,一是生长时不均匀,影响产品的品 质,二是每次往往只能对少量的衬底片进行操作,不能满足工业化生产的需要。
技术实现思路
本专利技术专利的目的在于克服以上
技术介绍
的缺陷,提供一种液相外延法制取薄膜的装置,以实现一次载入多片衬底片,制备具有高纯度,高性能的薄膜的目的。除可用于前本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种液相外延法制取薄膜的装置,包括:  一副室,副室上装有一升降旋转轴;  一阀室,阀室内装有一升降旋转轴;  一炉室,位于阀室的下方;  一坩埚,位于炉室内;  一用来加热所述坩埚内原料的加热装置;  其特征在于:还包括一上端与升降旋转轴下端连接的石墨花篮,所述的石墨花篮位于炉体内,可在阀室内及炉室内上下运动。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:郑智雄南毅张伟娜王致绪邹予马殿军赵志跃汪健徐诗双洪朝海戴文伟
申请(专利权)人:南安市三晶阳光电力有限公司
类型:发明
国别省市:35[中国|福建]

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