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南昌欣磊光电科技有限公司专利技术
南昌欣磊光电科技有限公司共有7项专利
一种应用于LED芯片制作的光刻版制造技术
一种应用于LED芯片制作的光刻版,属于LED芯片制造技术领域。所述光刻版规格为4×4平方英寸,在光刻版的中心设有一边长为1.5平方英寸的正方形方框标记,在正方形标记的内部和外部区域有两种不同的芯片尺寸和电极图形。本光刻版可实现在同一片L...
一种应用于红色磷化镓P型液相外延的石英舟制造技术
一种应用于红色磷化镓P型液相外延的石英舟,由内腔、外腔、连接板、盖板、连接操作杆及固定螺栓组成,内外腔由石英制成,石英内腔套在石英外腔内,内外腔之间留有空隙。其中石英内腔(2)中放置需生长P型层的磷化镓基片,在石英内腔的下面开有通槽,石...
一种应用于液相外延晶片的固定装置制造方法及图纸
一种应用于液相外延晶片的固定装置,其特征是带有规则排布齿印的晶片夹板上有若干个对称分布的定位孔,螺栓穿过定位孔配合螺母固定连接两块晶片夹板,形成一个上下两层有晶片夹板的框架,其中单晶片放置晶片夹板内部的卡位中。本实用新型的技术效果是:1...
一种高像素密度LED显示模块及其制作方法技术
一种高像素密度LED显示模块的制作方法,属光电子器件制造技术领域。该方法取砷化镓基板外延片,在外延片的P层表面形成电极图形及欧姆接触;从外延片P层表面的特定位置向下切割形成深度超过外延片中P型材料厚度的沟槽,在沟槽中蒸镀N型欧姆接触金属...
一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法技术
一种基于氮化镓发光材料的LED显示矩阵及其制作方法,属光电子器件制造技术领域。该方法利用刻蚀技术将外延材料分离成独立的行和列,行与列相交处是可独立控制发光的象素单元。同一行中利用外延材料的N型层做为同行象素之间的负极通路,同一列中利用蒸...
一种半导体表面金键合电极的制作方法技术
一种半导体表面金键合电极的制作方法,其特征是工艺方法步骤为:首先提供半导体底材,形成金属复合结构,之后利用碱性溶液将半导体底材表面的光阻层去除,在去除底材表面光阻层的同时,附着于光阻层表面的金属将同时去除,但空白区域的金属将保留在底材表...
一种去除镓铝砷材料表面金层的方法技术
一种去除镓铝砷材料表面金层的方法,其特征是质量为在含有碘的碘化钾或碘化铵溶液中加入体积比在20%-35%的浓硝酸,混合后用于去除镓铝砷三元混晶材料表面的金层。本发明的技术效果是:容易实施,无剧毒,性能稳定可靠,可在去除金层的同时在半导体...
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