开关及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种开关及其形成方法。一种存储器装置，其包括存储器单元，该存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时，第一电极移动从而连接至储存节点。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种机电，并且更具体而言，涉及一种具有可移动 地连接至储存节点的电极的机电。
技术介绍
动态RAM(DRAM)是一种需要刷新以保持数据有效的固态存储器。DRAM中的存储器 单元包括电容器和M0S晶体管。电容器的电荷由于泄漏而衰减，因此存储器必须周期性地 刷新以保持电荷。MOS晶体管用作存储器单元中的开关。如果将读取存储器，则由读出放大 器在数据线上感测电容器上的电压。如果要求写入或刷新操作，则数据线变为输入线。在 适当的地址使DRAM单元中的MOS晶体管导通时，通过数据输入可以对电容器进行充电或放 电。 —种增加DRAM容量的方法是减小MOS晶体管的尺寸。然而，MOS晶体管尺寸的减 小产生了诸如短沟道或结泄漏的其他问题。此外，在存储器单元中使用MOS晶体管时，半导 体衬底必须用于容纳其上的MOS晶体管，并且该半导体衬底必须在具有MOS晶体管的存储 器单元的上阵列与下阵列之间形成。 因此需要一种用于在存储器装置中使用的改进的开关装置。
技术实现思路
根据本专利技术的示例性实施例， 一种存储器装置包括存储器单元，该存储器单元包 括储存节点、第一电极和第二电极，该储存节点储存电荷，并且当第二电极通电时第一电极 移动从而连接至储存节点。 该存储器装置可以进一步包括衬底，在所述衬底上形成存储器单元。 第一电极可以包括垂直部、第一水平部和第二水平部，该垂直部相对于衬底基本上垂直并且第一和第二水平部相对于衬底基本上平行。 该垂直部的第一端部可以连接至第一水平部的第一端部，第一水平部的第二端部 固定至在第二电极上形成的绝缘体图案，垂直部的第二端部连接至第二水平部的第一端 部。 在第一电极的垂直部和储存节点与第二电极之间可以形成间隙。 当第二电极不通电时，通过该间隙使垂直部的第二端部可以与储存节点分离。 当第二电极通电时，垂直部的第二端部可以接触储存节点。 垂直部的第二端部可以朝向储存节点突出。 当施加电压时，第二电极可以通电。 储存节点可以包括电容器，第一电极包括位线，并且第二电极包括字线。 根据本专利技术的示例性实施例，一种存储器装置包括存储器单元，该存储器单元包括第一电极、第二电极和储存节点，通过第一间隙使第一电极与第二电极分离并且通过第二间隙使第一电极与储存节点分离，并且当第二电极通电时第一电极移动从而连接至储存节点。 第一 间隙和第二间隙可以基本上相同。 第一 间隙可以大于第二间隙。 根据本专利技术的示例性实施例，一种存储器装置包括第一存储器单元，其包括第一 字线、第一电容器以及位线；第二存储器单元，其包括第二字线、第二电容器以及位线，并且 当第一字线通电时位线移动从而连接至第一电容器并且当第二字线通电时位线移动从而 连接至第二电容器。 存储器装置可以进一步包括衬底，在所述衬底上形成第一存储器单元和第二存储 器单元。 第一存储器单元中的位线可以包括第一垂直部，第二存储器单元中的位线包括第二垂直部，第一和第二垂直部相对于衬底的主水平面基本上垂直并且基本上相互平行。 当第一字线不通电时第一垂直部的端部可以与第一电容器分离，并且当第一字线通电时第一垂直部的端部接触第一电容器。 第一垂直部的端部可以朝向第一电容器突出。 当第二字线不通电时第二垂直部的端部可以与第二电容器分离，并且当第二字线通电时第二垂直部的端部接触第二电容器。 第二垂直部的端部可以朝向第二电容器突出。 当施加电压时，第一字线和第二字线可以通电。 在第一字线和第二字线上可以形成绝缘体图案，并且位线固定至绝缘体图案。 位线可以相对于掩模图案基本上对称。 根据本专利技术的示例性实施例，一种存储器装置包括衬底；电容器，其形成在衬底 上，该电容器储存电荷；字线，其被设置在电容器上；以及位线，其固定至在字线上形成的 绝缘体图案，通过间隔使位线与字线和该电容器分离，位线具有相对于衬底基本上垂直的 垂直部，当字线通电时，位线的垂直部移动从而连接至电容器。 存储器装置可以进一步包括第一层间电介质层，其形成在字线与电容器之间。 存储器装置可以进一步包括第二层间电介质层，其形成在字线与绝缘体图案之 间。 位线可以进一步包括平行部，该平行部的第一端部连接至该垂直部的第一端部， 并且该平行部的第二端部固定至绝缘体图案。 当字线不通电时，位线的垂直部的第二端部可以与电容器分离。 当字线通电时，位线的垂直部的第二端部可以接触该电容器。 垂直部的第二端部可以朝向电容器突出。 当施加电压时，字线可以通电。 该位线可以包括至少两个层。 根据本专利技术的示例性实施例， 一种存储器装置包括存储器单元，该存储器单元包5括电容器、字线以及梁线(beam line)，该存储器单元形成在衬底上设置的传导板上，该梁 线的第一端部被设置在该传导板上，该梁线相对于衬底基本上垂直，并且当字线通电时，梁 线的第二端部移动从而连接至电容器。附图说明 通过结合附图进行的下面的描述，可以更加详细地理解本专利技术的示例性实施例， 在附图中 图1是示出根据本专利技术示例性实施例的机电开关的截面图； 图2是示出根据本专利技术示例性实施例的机电开关的截面图； 图3是示出根据本专利技术示例性实施例的机电开关的立体图； 图4是根据本专利技术示例性实施例的沿图3中的线A-A'截取的机电开关的截面图； 图5是根据本专利技术示例性实施例的机电开关的截面图； 图6是根据本专利技术示例性实施例的机电开关的截面图； 图7是根据本专利技术示例性实施例的机电开关的截面图； 图8是示出根据本专利技术示例性实施例的机电开关的截面图； 图9是示出根据本专利技术示例性实施例的存储器装置的截面图； 图10是示出根据本专利技术示例性实施例的存储器装置的截面图； 图11至图19示出形成具有根据本专利技术示例性实施例的机电开关的存储器装置的 方法； 图20示出根据本专利技术示例性实施例的形成掩埋传导图案352的方法； 图21示出根据本专利技术示例性实施例的形成凹陷开关(dimpledswitch)结构的方法。 图22A和22B示出具有根据本专利技术示例性实施例的机电开关的存储器装置； 图23至图27示出根据本专利技术示例性实施例的形成存储器装置的方法； 图28是根据本专利技术示例性实施例的存储器装置的截面图； 图29A和29B示出根据本专利技术示例性实施例的形成存储器装置的方法； 图30示出根据本专利技术示例性实施例的存储器装置； 图31示出根据本专利技术示例性实施例的机电开关；以及 图32示出包括根据本专利技术示例性实施例形成的存储器装置的系统。具体实施例方式现将参考示出本专利技术示例性实施例的附图来更加全面地描述本专利技术。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实现并且不应被解释为限于此处阐述的示例性实施例。 将理解，在将元件或层称为在另一元件或层上、连接至或耦合至另一元件或层时，其可以直接在另一元件或层上，直接连接或耦合至另一元件或层，或者可以存在中间的元件或层。相反地，当元件被称为直接在另一元件或层上、直接连接至或直接耦合至另一元件或层时，不存在中间的元件或层。如此处使用的术语和/或包括一个或多个关联的列出项目的任何和所有组合。 将理解，尽管此处使用术语第一、第二、第三等描述各种不同的元件、组件、区域、6层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语 仅用于使一个元件、组件、区域、层或部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，包括：存储器单元，所述存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，所述储存节点被构造为储存电荷，以及当所述第二电极通电时，所述第一电极是可移动的从而连接至所述储存节点。

【技术特征摘要】
KR 2008-12-2 10-2008-0121327;US 2009-7-31 12/533,5一种存储器装置，包括存储器单元，所述存储器单元包括储存节点、第一电极和第二电极，所述储存节点被构造为储存电荷，以及当所述第二电极通电时，所述第一电极是可移动的从而连接至所述储存节点。2. 如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述第一电极包括垂直部、第一水平部和第 二水平部，所述垂直部相对于设置有所述存储器单元的衬底的主水平面基本上垂直，以及 所述第一水平部和第二水平部相对于所述衬底的所述主水平面基本上平行。3. 如权利要求2所述的存储器装置，其中，所述垂直部的第一端部连接至所述第一水 平部的第一端部，所述第一水平部的第二端部固定至在所述第二电极上方形成的绝缘体图 案，所述垂直部的第二端部连接至所述第二水平部的第一端部。4. 如权利要求3所述的存储器装置，其中，在所述第一电极的所述垂直部和所述储存 节点与所述第二电极之间形成间隙。5. 如权利要求4所述的存储器装置，其中，当所述第二电极不通电时，通过所述间隙使 所述垂直部的所述第二端部与所述储存节点分离。6. 如权利要求5所述的存储器装置，其中，当所述第二电极通电时，所述垂直部的所述 第二端部接触所述储存节点。7. 如权利要求3所述的存储器装置，其中，所述垂直部的所述第二端部朝向所述储存节点突出。8. 如权利要求1所述的存储器装置，其中，当施加电压时，所述第二电极通电。9. 如权利要求1所述的存储器装置，其中，所述储存节点包括电容器，所述第一电极包 括位线，以及所述第二电极包括字线。10. —种存储器装置，包括存储器单元，所述存储器单元包括第一电极、第二电极和储存节点，用第一间隙使所述 第一电极与所述第二电极分离，以及用第二间隔使所述第一电极与所述储存节点分离，并 且当所述第二电极通电时，所述第一电极移动从而连接至所述储存节点。11. 如权利要求io所述的存储器装置，其中，所述第一间隙和所述第二间隙基本上相同。12. 如权利要求10所述的存储器装置，其中，所述第一间隙大于所述第二间隙。13. —种存储器装置，包括第一存储器单元，包括第一字线、第一电容器和第一位线；第二存储器单元，包括第二字线、第二电容器和连接至所述第一位线的第二位线； 其中当所述第一字线通电时所述第一位线是可移动的从而连接至所述第一电容器，以 及当所述第二字线通电时所述第二位线是可移动的从而连接至所述第二电容器。14. 如权利要求13所述的存储器装置，其中，所述第一存储器单元中的所述第一位线 包括第一垂直部，所述第二存储器单元中的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金旻相，李志明，裵贤俊，金洞院，徐俊，权容贤，张原玮，赵槿汇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]