机电开关及其形成方法技术

本发明专利技术公开了机电开关及其形成方法。本发明专利技术提供了一种存储器装置，该存储器装置包括形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当第二电极被赋予能量时，第一部分移动以连接到贮存节点。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种，更具体来说，涉及一种 具有可移动地连接到贮存节点的电极的。
技术介绍
动态RAM (DRAM)是需要刷新来保持数据激活的固态存储器。 DRAM中的存储器单元包括电容器和MOS晶体管。电容器的电荷由于 泄漏而衰减，所以系统必须周期性地刷新电荷来保持所述值。MOS晶 体管在存储器单元中用作开关。如果将要读取存储器，则通过感测放 大器(sense amplifier)在数据线上检测电容器上的电压。如果需要写 或刷新操作，则数据线变成输入线。当适合的地址导通DRAM单元中 的MOS晶体管时，电容器能够根据输入数据(data-in)被放电或充电。增加DRAM的密度的一个方式是减小MOS晶体管的尺寸。然而， 减小MOS晶体管的尺寸引起了其它问题诸如短沟道或结漏。提高 DRAM的密度的另一方式是将多层存储器单元一个在另一个上地堆 叠。然而，当在存储器单元中使用MOS晶体管时，半导体衬底必须被 用于容纳其上的MOS晶体管，并且半导体衬底必须形成在具有MOS 晶体管的存储器单元的上阵列和下阵列之间。形成在多层存储器单元 之间的各半导体衬底增加了 DRAM的厚度。因此，存在对用于在存储器装置中使用的改进的开关装置的需要。
技术实现思路
根据本专利技术的示例性实施例， 一种存储器装置包括形成在存储器 单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，贮存节点贮存电荷，所述 第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当所述第二电极被赋予 能量时，所述第一部分移动以连接到贮存节点。从贮存节点接收的电荷能够通过第一部分传送到连接到第二部分 的末端的电压感测电路。第一部分和第二部分能够通过接触栓塞连接。第一部分的第一末端能够从第一位置移到第二位置，用于读出贮 存在贮存节点内的电荷或者用于将电荷写入贮存节点。当第二电极被赋予能量时，第一部分的第一末端处于第二位置， 以接触贮存节点。第一部分的第二端能够锚定在接触栓塞上。第一位置和第二位置之间的第一距离能够基本上与第二电极和第 一电极的对应的第一部分之间的第二距离相同。第一位置和第二位置之间的第一距离能够小于第二电极和第一电 极的对应第一部分之间的第二距离。第一部分可以包括第一层和第二层，第一层包含与第二层不同的 材料。第一部分能够基本上比第二部分短。当施加电压时，第二电极能够被赋予能量。该存储器装置还可以包括上面形成有第二部分的衬底，其中该衬 底包含玻璃、半导体或塑料中的至少一种。贮存节点可以包括电容器，所述电容器包括第三电极、电介质层 和第四电极。第三电极能够接收第一部分的第一末端，并且第四电极能够形成 在传导板上。贮存节点能够包括由绝缘体环绕的传导图案。该存储器装置还能够包括其上形成贮存节点的传导板。第一电极能够是位线，第二电极能够是字线。根据本专利技术的示例性实施例， 一种存储器装置包括第一存储器 单元，其具有第一字线和贮存第一电荷的第一贮存节点；第二存储器 单元，其具有第二字线和贮存第二电荷的第二贮存节点；位线，其具 有形成在第一存储器单元中的第一部分和形成在第二存储器单元中的 第二部分；梁线，其被形成为具有第一存储器单元中的第一部分和第 二存储器单元中的第二部分，梁线被电连接到位线，其中当第一字线被赋予能量时，梁线的第一部分的末端移动，以连接到第一贮存节点， 当第二字线被赋予能量时，梁线的第二部分的末端移动，以连接到第 二贮存节点。位线和梁线能够通过接触栓塞连接。13梁线的中心能够被锚定在接触栓塞上。 梁线能够基本上相对于接触栓塞对称。从第一贮存节点接收的第一电荷能够通过梁线传送到连接到位线 的末端的电压感测电路。梁线的第一部分的末端能够从第一位置移到第二位置，用于读出 贮存在第一lt存节点内的第一电荷或者用于将第一电荷写入到第一贮 存节点。当第一字线被赋予能量时，梁线的第一部分的末端能够处于第二 位置，以接触第一贮存节点。第一位置和第二位置之间的第一距离能够基本上与第一字线和梁 线的对应部分之间的第二距离相同。第一位置和第二位置之间的第一距离能够小于第一字线和梁线的 对应部分之间的第二距离。梁线能够包括第一层和第二层，第一层包括与第二层不同的材料。梁线能够基本上比位线短。当施加电压时，第一字线能够被赋予能量。该存储器装置还可包括上面形成有位线的衬底，其中，所述衬底 包含玻璃、半导体和塑料中的至少一种。第一贮存节点能够包括电容器，所述电容器包括第一电极、电介质层和第二电极。第一电极能够接收梁线的第一部分的末端，并且第二电极能够形 成在传导板上。第一贮存节点能够包括由绝缘体环绕的传导图案。该存储器装置还可以包括在其上形成第一贮存节点的传导板。根据本专利技术的示例性实施例， 一种存储器装置包括连接到位线 的第一对存储器单元，该第一对存储器单元具有第一梁线；邻近于第 一对存储器单元形成并连接到位线的第二对存储器单元，该第二对存 储器单元具有第二梁线，其中当相应的字线被赋予能量时，梁线中的每一个移动，以连接到贮存电荷的相应的贮存节点。梁线中的每一个和位线能够通过相应的接触栓塞电连接。梁线中的每一个能够被锚定在相应的接触栓塞上。梁线中的每一个能够基本上相对于相应的接触栓塞对称。从相应的贮存节点接收的电荷能够通过梁线中的每一个传送到连 接到位线的末端的电压感测电路。梁线中的每一个的末端能够从第一位置移到第二位置，用于读出 ]C存在相应的贮存节点内的电荷或者用于将电荷写入相应的贮存节 点。当相应的字线被赋予能量时，梁线中的每一个的末端能够处于第 二位置，以接触相应的贮存节点。15第一位置和第二位置之间的第一距离能够基本上与相应的字线和 梁线中的每一个的对应部分之间的第二距离相同。第一位置和第二位置之间的第一距离能够小于相应的字线和梁线 中的每一个的对应部分之间的第二距离。梁线中的每一个能够包括第一层和第二层，第一层包含与第二层 不同的材料。梁线中的每一个能够基本上比位线短。当施加电压时，相应的字线能够被赋予能量。该存储器装置还可以包括上面形成有位线的衬底，其中该衬底包 括玻璃、半导体或塑料中的至少一种。相应的贮存节点能够包括电容器，该电容器包括第一电极、电介 质层和第二电极。第一电极能够接收梁线中的每一个的末端，并且第二电极形成在 传导板上。相应的je存节点能够包括由绝缘体环绕的传导图案。该存储器装置还可以包括其上形成相应的贮存节点的传导板。 根据示例性实施例， 一种存储器装置包括衬底；形成在衬底上 的位线；形成在位线上的字线；形成在字线上方的梁线；贮存电荷的 电容器，该电容器形成在梁线和衬底之间，其中当字线被赋予能量时， 梁线移动以连接到电容器。该存储器装置还可以包括连接位线和梁线的接触栓塞。该存储器装置还可包括第一层间电介质层，该第一层间电介质层 具有形成在梁线上的多个孔。该存储器装置还可包括形成在第一层间电介质层上的第二层间电 介质层。梁线的第一末端能够从第一位置移到第二位置，用于读出贮存在 电容器内的电荷或者用于将电荷写入电容器。当字线被赋予能量时，梁线的第一末端能够处于第二位置，以接 触电容器。梁线的第二末端能够被锚定在接触栓塞上。第一位置和第二位置之间的第一距离能够基本上与字线和梁线的 对应部分之间的第二距离相同。第一位置和第二位置之间的第一距离能够小于字线和梁线的对应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器装置，包括：　形成在存储器单元中的贮存节点、第一电极和第二电极，所述贮存节点贮存电荷，所述第一电极包括电连接到第二部分的第一部分，当所述第二电极被赋予能量时，所述第一部分移动以连接到所述贮存节点。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金旻相，李志明，裴贤俊，金洞院，徐俊，张原玮，赵槿汇，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]