铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置制造方法及图纸

技术编号:4284013 阅读:157 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术涉及一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,由两端带有放卷架和收卷架的传送带、位于传送带上方的镀液喷淋装置、清洗装置及干燥箱构成;镀液喷淋装置由相互垂直并内路相通的镀液出泵管道和导液管构成,镀液出泵管道通过增压计量泵连接镀液进泵管道,导液管上固装有镀液喷嘴;清洗装置由带有清洗喷嘴的去离子水出泵管道,通过水泵与去离子水进泵管道连接为一体。本实用新型专利技术采用喷淋法制备铜铟镓硒太阳电池缓冲层,利用动态结晶原理,采用喷嘴对传送带上的衬底进行立体状态喷淋镀液,极大提高了生产效率;采用增压计量泵,镀液喷淋量得以控制,使喷淋后得到的II-VI族化合物薄膜厚度、均匀度、致密度得到保障,并且成本低,重复性好。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于喷淋装置
,尤其是一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置
技术介绍
随着全球不可再生能源的逐渐减少,太阳能作为洁净、可再生能源得到世界各国 高度重视。作为第三代太阳能电池的铜铟镓硒(CIGS)等化合物薄膜太阳电池已成学学术 界和产业界研究发展的主攻方向。硫化镉CdS、硫化锌ZnS或碲化镉CdTe等II-VI族化合物薄膜广泛用作薄膜太阳 电池缓冲层。目前II-VI族化合物薄膜制备分为两大类气象法和溶液化学法。气象法主 要包括真空蒸发、分子束外延、溅射、化学气相沉积等。尽管气相法是目前II-VI族化合 物薄膜的主要制备技术,但由于材料合成设备昂贵、制备过程复杂,得到的光伏电池成本很 高,不能得到大面积的推广应用。溶液化学法主要包括化学浴沉积和电化学沉积,其中化学 浴沉积是目前制备薄膜太阳电池缓冲层最常用的方法,该方法成本低,操作简单,可以严格 控制缓冲层的厚度、薄膜形貌、晶体结构等,但该方法产能低,重复性差,不适宜连续化规模 制备铜铟镓硒太阳电池缓冲层。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术的不足,提供成本低、产能高,薄膜制备重复 性强,适宜连续化规模生产的铜铟镓硒太阳本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,其特征在于:该装置由两端带有放卷架和收卷架的传送带、位于传送带上方的镀液喷淋装置、清洗装置及干燥箱构成;镀液喷淋装置由相互垂直并内路相通的两根以上镀液出泵管道和导液管构成,镀液出泵管道通过增压计量泵连接镀液进泵管道,导液管上固装有镀液喷嘴;清洗装置由带有清洗喷嘴的去离子水出泵管道,通过水泵与去离子水进泵管道连接为一体。

【技术特征摘要】
一种铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,其特征在于该装置由两端带有放卷架和收卷架的传送带、位于传送带上方的镀液喷淋装置、清洗装置及干燥箱构成;镀液喷淋装置由相互垂直并内路相通的两根以上镀液出泵管道和导液管构成,镀液出泵管道通过增压计量泵连接镀液进泵管道,导液管上固装有镀液喷嘴;清洗装置由带有清洗喷嘴的去离子水出泵管道,通过水泵与去离子水进泵管道连接为一体。2.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,其特征在于所述传送 带下面与镀液喷嘴对应处固装有衬底加热器和衬底加热器下面的废液槽。3.根据权利要求1所述的铜铟镓硒太阳电池缓冲层制备装置,其特征在于所述盛有 镀液的容器下面有镀...

【专利技术属性】
技术研发人员:李巍刘兴江方小红李微
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第十八研究所
类型:实用新型
国别省市:12[]

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