用于制造显示器件的方法技术

一种用于制造显示器件的方法，其包括以下步骤：通过在第一基板上进行ＳＰＣ（固相结晶）过程而形成有源层；在含有９０至９７％流量的氢（Ｈ↓［２］）和１０至３％流量的硅烷（ＳｉＨ↓［４］）的大气下，在该有源层上形成非晶硅（ａ－Ｓｉ）的缓冲层；在该缓冲层上形成Ｎ型杂质层；形成金属层以覆盖该Ｎ型杂质层；利用第一蚀刻法去掉金属膜而形成源极和漏极；以及利用第二蚀刻法将Ｎ型杂质层和缓冲层断开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示器件的制造方法。
技术介绍
随着信息技术的发展，对于用户和信息之间的连接介质的显示器件的要 求正逐渐增多。因此，对于如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED) 和等离子体显示板(PDP)的平板显示器(FPD)的需求正逐渐增大。本文中，液晶显示器或有机发光二极管能够以薄膜构造来实现，并且出 于生产的目的而将其分成安装在移动电话、数字摄像机等上的小型显示器件 和安装在电视、监视器等上的大型显示器件。液晶显示器或有机发光显示器使用置于第一基板上的晶体管阵列。该晶 体管阵列中包含的晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极。该晶体管阵列中 包含的晶体管对液晶显示器或有机发光显示器的可靠性、显示质量和使用寿 命有巨大的影响。同时，利用SPC (固相结晶)膜作为有源层的常规晶体管阵列结构具有 在结晶后于结晶膜上形成N型杂质层的过程中容易出现微剥落的问题，这会 从该有源层上剥落该N型杂质层。当出现如上所述的微剥落时，相应的区域起粒子源的作用。因此，不能 进行随后的过程，并且即使进行随后的过程，该器件也变得不平坦。因此， 需要解决这一问题。
技术实现思路
本专利技术的一个方面提供了一种显示器件的制造方法，其包括通过在第一基板上进行SPC (固相结晶)过程而形成有源层；在含有卯至97%流量的 氢(H2)和10至3%流量的硅垸(SiH4)的大气下在该有源层上形成非晶硅 (a-Si)的缓冲层(cushioninglayer);在该缓冲层上形成N型杂质层；形成金属层以覆盖该N型杂质层；利用第一蚀刻法去掉金属膜而形成源极和漏极;以及利用第二蚀刻法将N型杂质层和缓冲层断开(sepamte)。 附图说明所包括的附图提供对本专利技术的进一步理解，附图合并到说明书中并构成说明书的一部分，用于图解说明本专利技术的实施方式，并且连同文字描述一起 用来解释本专利技术的原理。图1至3是用于解释根据本专利技术 一个示例性实施方式的显示器件的制造 方法的横截面视图4和5示出晶体管的横截面；图6是根据本专利技术一个示例性实施方式而制造的晶体管的IV曲线的对比图7是利用倒置交错的底部栅极型晶体管的液晶显示器的图解说明；图8是利用共面的顶部栅极型晶体管的液晶显示器的图解说明；图9是利用倒置交错的底部栅极型晶体管的有机发光显示器的图解说明；图10是利用共面的顶部栅极型晶体管的有机发光显示器的图解说明；以及图ll示出有机发光二极管的分层结构。 专利技术详述现在详细地参考本专利技术的实施方式，附图中图解说明了本专利技术的实施例。下面描述根据本专利技术一个示例性实施方式的显示器件的制造方法。首先，如图1中所示，进行通过在第一基板110上完成SPC (固相结晶) 过程来形成有源层130的步骤。本文中，在第一基板110上形成的有源层130 口丁以是非晶型的a-SPC。接着，如图1中所示，在含有90至97%流量的氢(H2)和10至3%流量的 硅烷(SiH4)的大气下，进行在有源层130上形成非晶硅(a-Si)的缓冲层131的步骤。接着，如图1中所示，进行在缓冲层131上形成N型杂质层132的步骤。 接着，如图1中所示，进行形成金属层133以覆盖N型杂质层的步骤。 接着，如图2中所示，进行利用第一蚀刻法E1通过去掉金属层133来形成源极133a和漏极133b的步骤。本文中，第一蚀刻法E1可以是湿蚀刻(W/E)，但不限于此。接着，如图3中所示，进行利用第二蚀刻法E2将N型杂质层132和缓冲层 133断开的步骤。本文中，第二蚀刻法E2可以是干蚀刻(D/E)，但不限于此。同时，上面解释的方法可以包括在有源层130形成步骤之后通过BOE (缓 冲氧化物蚀刻剂)清理而去掉在有源层130的结晶时所形成的热氧化膜的步 骤。通过进行这一过程，可以通过随后的过程来形成如在下面的图4和5中所 示的晶体管。首先，图4示出了以倒置交错的底部栅极结构形成的晶体管。 为了形成倒置交错的底部栅极型晶体管，在有源层130形成步骤之前， 进行在第一基板110上形成栅极115的步骤，并进行在栅极115上形成第一绝 缘膜120的步骤。然后，在第一绝缘膜120上形成有源层130、缓冲层131、 N 型杂质层132和金属层133，通过利用第一蚀刻法由源极133a和漏极133b形成 金属层133，以及利用第二蚀刻法使N型杂质层132和缓冲层131彼此断开。然 后，进行在源极133a和漏极133b上形成第二绝缘膜135的步骤，并进行在第 二绝缘膜135上形成待连接到源极133a或漏极133b的第一电极137的步骤。 接着，图5示出了以共面的顶部栅极结构形成的晶体管。 为了形成共面的顶部栅极型晶体管，在第一基板110上形成有源层130、 缓冲层131、 N型杂质层132和金属层133，通过利用第一蚀刻法由源极133a 和漏极133b形成金属层133，并且通过利用第二蚀刻法将N型杂质层132和缓 冲层131彼此断开。在断开步骤之后，进行在源极133a和漏极133b上形成第 一绝缘膜120的步骤，并且进行在第一绝缘膜120上形成栅极115的歩骤。然 后，进行在第一绝缘膜120上形成覆盖栅极115的第二绝缘膜135的步骤，并进行在第二绝缘膜135上形成待连接到源极133a或漏极133b的第一电极137 的步骤。本文中，缓冲层111可以置于第一基板110和有源层130之间。通过如上所见的利用本专利技术一个示例性实施方式而形成如图4和5中所 示的晶体管，如图6中所示能够改进晶体管的IV曲线。本文中，图6的(Gl) 是常规晶体管的IV曲线，而图6的(G2)是由根据本专利技术一个示例性实施方 式的制造方法所制造的晶体管的IV曲线。同时，在本专利技术的制造方法中，在含有90至97%流量的氢(H2)和10至 3%流量的硅垸(SiH4)的大气下在有源层130上形成非晶硅(a-Si)的缓冲 层131。在这一过程中，如果与常规的a-Si沉积条件相比，氢(H2)的流量增大 且硅烷(SiH4)的流量减小，那么硅基(Si基)的量相对下降，从而使a-Si 层的沉积速率急剧地降低。但是，在上面提到的缓慢的沉积速率的条件下，如果a-Si的缓冲层131 沉积在由SPC结晶膜所形成的有源层130之上并且在缓冲层131上形成!1+ a-Si 的N型杂质层132，那么会减少层间晶格失配并增大粘附力，从而防止出现微 剥落。通常，薄膜的内应力非常大，即大约109 101()达因(dyne)/cm2。因此， 如果单单通过物理吸附而在膜与基板之间界面上形成粘附力，那么可能会引 起剥落。这种内应力由基板和沉积膜之间的晶格失配、快速的沉积速率、膜 中包含的杂质层等来形成。但是，如果实施根据本专利技术一个示例性实施方式的方法，那么在由SPC 结晶膜所形成的有源层130与N型杂质层132之间的杂质层的出现率会降低， 从而使晶格失配的影响变得较小。此外，通过以缓慢的沉积速率在有源层130 上形成a-Si的缓冲层131能够抑制诸如微剥落的问题。缓冲层131的厚度是10至300 A。本文中，形成N型杂质层132的目的是在晶体管器件的源极133a和漏极 133b端提供欧姆接触。如果形成的缓冲层131为10 A或更厚，那么其用作在有源层130和N型杂 质层132之间的物理缓冲和欧姆接触，并且能够抑制微剥落。如果形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造显示器件的方法，包括：　通过在第一基板上进行ＳＰＣ（固相结晶）过程而形成有源层；　在含有９０至９７％流量的氢（Ｈ↓［２］）和１０至３％流量的硅烷（ＳｉＨ↓［４］）的大气下，在该有源层上形成非晶硅（ａ－Ｓｉ）的缓冲层；　 　在该缓冲层上形成Ｎ型杂质层；　形成金属层以覆盖该Ｎ型杂质层；　利用第一蚀刻法去掉金属膜而形成源极和漏极；以及　利用第二蚀刻法将Ｎ型杂质层和缓冲层断开。

【技术特征摘要】
KR 2008-6-26 10-2008-00609461.一种制造显示器件的方法，包括通过在第一基板上进行SPC(固相结晶)过程而形成有源层；在含有90至97％流量的氢(H2)和10至3％流量的硅烷(SiH4)的大气下，在该有源层上形成非晶硅(a-Si)的缓冲层；在该缓冲层上形成N型杂质层；形成金属层以覆盖该N型杂质层；利用第一蚀刻法去掉金属膜而形成源极和漏极；以及利用第二蚀刻法将N型杂质层和缓冲层断开。2. 根据权利要求1所述的方法，其中该缓冲层的厚度是10至300A。3. 根据权利要求1所述的方法，在形成有源层之后，包括通过BOE(缓 冲氧化物蚀刻剂)清理而去掉在该有源层的结晶时所形成的热氧化膜。4. 根据权利要求1所述的方法，在形成有源层之前，包括在第一基板上 形成栅极和在该栅极上形成第一绝缘膜。5. 根据权利要求4所述的方法，包括在该源极和该漏极上形成第二绝缘 膜，和在第二绝缘膜上形成待连接到该源极或该漏极的第一电极。6. 根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：李锡宇，康秀赫，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]