本公开提供了一种薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、第一薄膜晶体管和第一遮光图案，所述基板包括有源区域和设置在有源区域周围的无源区域，所述第一薄膜晶体管设置在基板上，所述第一遮光图案位于基板与第一薄膜晶体管之间。第一薄膜晶体管包括设置在基板上的第一氧化物半导体图案、第一栅电极、介于第一氧化物半导体图案与第一栅电极之间的第一栅极绝缘层、第一源电极和第一漏电极。电连接到第一源电极和第一漏电极中的一个的第一遮光图案设置在第一氧化物半导体图案之下。第一氧化物半导体图案包括被配置为与第一栅电极一起形成第一寄生电容的第一部分和被配置为与第一栅电极一起形成不同于第一寄生电容的第二寄生电容的第二部分。
本公开涉及一种包括氧化物半导体图案的薄膜晶体管的阵列基板，更具体而言，涉及一种薄膜晶体管阵列基板以及包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置，该薄膜晶体管阵列基板使得设置在基板上的薄膜晶体管能够实现低灰度表达的增强和漏电流的阻挡。特别地，本公开涉及一种显示装置，其中被配置为驱动像素的驱动薄膜晶体管具有扩展的灰度表达范围和增加的s因子值，从而能够在实现宽范围内的灰度表达的同时实现快速开/关操作。
1、最近，随着多媒体的发展，平板显示装置的重要性已经增加。为了应对这种情况，诸如液晶显示装置、等离子体显示装置、有机发光显示装置等的平板显示装置正在商业化。在这些平板显示装置当中，目前主要使用有机发光显示装置，因为该显示装置具有快速响应时间、高亮度和宽视角。
2、在这种有机发光装置中，多个像素被设置成矩阵，并且每个像素包括由有机发光层表示的发光器件部分和由薄膜晶体管(以下被称为“tft”)表示的像素电路部分。像素电路部分包括驱动tft和开关tft，所述驱动tft被配置为通过提供驱动电流来操作有机发光元件，所述开关tft被配置为向驱动tft提供栅极信号。
4、与此相关，本公开涉及一种薄膜晶体管的阵列基板以及包括该薄膜晶体管的阵列基板的显示装置，所述薄膜晶体管设置在像素处，特别是设置在子像素的像素电路部分处，并且被配置为在截止状态下阻挡漏电流并且即使在低灰度级下也实现自由灰度表达。
>技术实现思路1、因此，本公开涉及一种薄膜晶体管阵列基板与包括该薄膜晶体管阵列基板的显示装置，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。
2、本公开的目的是提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管设置在像素内并且被配置为在截止状态下展现出高的阻挡漏电流的效果并且在宽范围内实现灰度表达。
3、本公开的另一个目的是提供包括在一个薄膜晶体管中同时具有被调整为彼此不同的阈值电压的子薄膜晶体管，从而提供即使在低灰度级下也能够实现自由灰度表达同时使用氧化物半导体图案作为其有源层的驱动薄膜晶体管。
4、本公开的另外的优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域普通技术人员在研究以下内容时将变得显而易见，或者可以从本公开的实践中学习到。本公开的目的和其他优点可以通过在书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
5、为了实现这些目的和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所体现和广泛描述的，薄膜晶体管阵列基板包括基板、第一薄膜晶体管和第一遮光图案，所述基板包括有源区域和设置在有源区域周围的无源区域，所述第一薄膜晶体管设置在基板上，所述第一遮光图案位于基板与第一薄膜晶体管之间，其中第一薄膜晶体管包括设置在基板上的第一氧化物半导体图案、第一栅电极、介于第一氧化物半导体图案与第一栅电极之间的第一栅极绝缘层、第一源电极和第一漏电极，其中第一遮光图案电连接到第一源电极和第一漏电极中的一个并且设置在第一氧化物半导体图案之下，其中第一氧化物半导体图案包括被配置为与第一栅电极一起形成第一寄生电容的第一部分和被配置为与第一栅电极一起形成第二寄生电容的第二部分，并且其中第一寄生电容和第二寄生电容彼此不同。
6、第一氧化物半导体图案的第一部分可以包括朝向第一栅电极突出的第一突起。
7、第一氧化物半导体图案的第一部分可以包括凹入以与第一栅电极间隔开的第一凹陷。
8、第一氧化物半导体图案可以包括连接到第一源电极的第一源极区域、连接到第一漏极电极的第一漏极区域、以及设置在第一源极区域与第一漏极区域之间的第一沟道区域。第一突起和第一凹陷的长度可以等于或大于第一沟道区域的长度。
9、第一氧化物半导体图案的第一突起或第一凹陷可以对应于第一沟道区域。
10、还可以在第一氧化物半导体图案和第一遮光图案之间形成缓冲层。缓冲层可以包括朝向第一栅电极突出的第二突起或凹入以与第一栅电极间隔开的第二凹陷。
11、第一突起和第一凹陷可以沿着缓冲层的上表面的弯曲形成。
12、第一突起或第一凹陷中的每一个可以在第一沟道区域的宽度方向上设置为在数量上至少为一个。
13、当从第一突起到第一栅电极的垂直距离是第一垂直距离(d1)，并且从除第一突起之外的第一氧化物半导体图案到第一栅电极的垂直距离是第二垂直距离(d2)时，第二垂直距离(d2)可以大于第一垂直距离(d1)。
14、当从第一凹陷到第一栅电极的垂直距离是第二垂直距离(d2)，并且从除第一凹陷之外的第一氧化物半导体图案到第一栅电极的垂直距离是第一垂直距离(d1)时，第二垂直距离(d2)可以大于第一垂直距离(d1)。
15、第一薄膜晶体管可以是被配置为驱动设置在有源区域中的像素的驱动薄膜晶体管。
16、形成在第一遮光图案和第一氧化物半导体图案之间的寄生电容可以大于形成在第一栅电极和第一氧化物半导体图案之间的寄生电容。
17、第一薄膜晶体管可以包括第一子第一薄膜晶体管和第二子第一薄膜晶体管。第一子第一薄膜晶体管可以包括第一氧化物半导体图案的第一部分、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第二子第一薄膜晶体管可以包括第一氧化物半导体图案的第二部分、第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一子第一薄膜晶体管的阈值电压可以与第二子第一薄膜晶体管的阈值电压不同。
18、在本公开的另一方面，提供了一种显示装置，包括薄膜晶体管阵列基板与设置在基板上的发光器件部分，发光器件部分包括连接到第一漏电极的第一电极、对应于第一电极的第二电极以及设置在第一电极和第二电极之间的发光层。
19、本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员根据以下具体实施方式将更清楚地理解尚未描述的本公开的其他目的。
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【技术保护点】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一部分包括朝向所述第一栅电极突出的第一突起。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一突起对应于所述第一沟道区域。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一突起在所述第一沟道区域的宽度方向上设置为在数量上至少为一个。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一寄生电容大于所述第二寄生电容。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：
8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，当从所述第一突起到所述第一栅电极的垂直距离是第一垂直距离(D1)，并且从除所述第一突起之外的所述第一氧化物半导体图案到所述第一栅电极的垂直距离是第二垂直距离(D2)时，所述第二垂直距离(D2)大于所述第一垂直距离(D1)。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一部分包括凹入以与所述第一栅电极间隔开的第一凹陷。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一凹陷对应于所述第一沟道区域。
12.根据权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一凹陷在所述第一沟道区域的宽度方向上设置为在数量上至少为一个。
13.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第二寄生电容大于所述第一寄生电容。
14.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：
15.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，当从所述第一凹陷到所述第一栅电极的垂直距离是第二垂直距离(D2)，并且从除所述第一凹陷之外的所述第一氧化物半导体图案到所述第一栅电极的垂直距离是第一垂直距离(D1)时，所述第二垂直距离(D2)大于所述第一垂直距离(D1)。
16.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一薄膜晶体管是被配置为驱动设置在所述有源区域中的像素的驱动薄膜晶体管。
17.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，形成在所述第一遮光图案和所述第一氧化物半导体图案之间的寄生电容大于形成在所述第一栅电极和所述第一氧化物半导体图案之间的寄生电容。
18.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
19.一种显示装置，包括：
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【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一部分包括朝向所述第一栅电极突出的第一突起。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一突起对应于所述第一沟道区域。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一突起在所述第一沟道区域的宽度方向上设置为在数量上至少为一个。
6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一寄生电容大于所述第二寄生电容。
7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：
8.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，当从所述第一突起到所述第一栅电极的垂直距离是第一垂直距离(d1)，并且从除所述第一突起之外的所述第一氧化物半导体图案到所述第一栅电极的垂直距离是第二垂直距离(d2)时，所述第二垂直距离(d2)大于所述第一垂直距离(d1)。
9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述第一氧化物半导体图案的所述第一部分包括凹入以与所述第一栅电极间隔开的第一凹陷。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管阵列基板，其中：
【专利技术属性】
技术研发人员：李政烨，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：
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