直插式三极管引线框架制造技术

本实用新型专利技术公开了一种直插式三极管引线框架产品，克服了现有同类产品封料易上下滑移与基体分层的缺陷。它包括顶部的散热片、中部的芯片岛和底部的三个引脚，相邻的所述引脚之间设有连接片相连接固定，所述芯片岛与所述散热片相连部位设有横向通孔，所述横向通孔的两侧设有一对缺口；所述引脚的焊区根部表面设有多道沟槽，所述芯片岛的左、右、下三个侧面环布有加强筋；位于所述芯片岛左、右两侧面的所述加强筋设有多个弧形凹槽。所述横向通孔的内周壁环布有突筋。本产品所述芯片岛左、右两侧面的所述加强筋设有多个弧形凹槽，封料填充于这些弧形凹槽后可以彻底根除封料相对于芯片岛的上下滑移现象，从而大大提高半导体分立器件运行的可靠性。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体分立器件制造
，尤其指一种直插式三极MOS管引 线框架的制造技术。
技术介绍
半导体分立器件产品的市场应用领域极为广泛，它涵盖了消费电子、计算机及外 设、网络通信，电子专用设备与仪器仪表、汽车电子、LED显示屏以及电子照明等多个方面， 以直插式三极MOS管为例，其年需求量与消耗量相当巨大；在以往，此类产品通过在基体背 面压制出麻点方式来提高封料的结合强度，但受封装工艺限制，只能在背面压制麻点，所以 正反两面的强度性能差异较大；后来有人通过在基体侧边设置台阶凸缘来提高基体与塑料 封料的结合力，但仍无法完全根除封料上下滑移的弊病，故此类产品在使用一段时间以后， 分层现象时有发生，极易造成分立器件受潮短路故障而无法正常工作。为此，人们期盼专利技术 一种基体与封料结合牢固、密封防潮性能优异的直插式三极管引线框架产品问世，以提高半导体分立器件运行的可靠性，满足电子行业对日益增长的半导体分立器件制造所需。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是克服现有同类产品存在的封料易上下滑移与基 体分层、造成分立器件受潮短路故障的缺陷和不足，向社会提供一种基体与封料结合牢固、 密封防潮性能优异的直插式三极管引线框架产品，满足人们对日益增长的半导体分立器件 制造所需。 本技术解决其技术问题所采用的技术方案是直插式三极管引线框架包括顶部的散热片、中部的芯片岛和底部的三个引脚，相邻的所述引脚之间设有连接片相连接固定，所述芯片岛与所述散热片相连部位设有横向通孔，所述横向通孔的两侧设有一对缺口 ；所述引脚的焊区根部表面设有多道沟槽，所述芯片岛的左、右、下三个侧面环布有加强筋；位于所述芯片岛左、右两侧面的所述加强筋设有多个弧形凹槽。 所述横向通孔的内周壁环布有突筋，所述突筋的顶端尖锐。 本技术直插式三极管引线框架产品，封装时封料填充于横向通孔及其两侧的 一对缺口、所述引脚焊区根部的多道沟槽等部位内，大大增强了封料与芯片岛的结合力，可 以有效阻止水汽的浸入；同样在所述芯片岛的三个侧面环布加强筋后，可以防止封料在所 述芯片岛的正面或者反面鼓起分层；封装后，所述散热片仍暴露在外界用于散热，利于降 温。又由于位于所述芯片岛左、右两侧面的所述加强筋设有多个弧形凹槽，封装时封料填充 于弧形凹槽内，可以彻底根除封料相对于芯片岛基体的上下滑移，从而大大提高半导体分 立器件运行的可靠性。附图说明图1是本技术产品结构示意图。 图2是图1的A-A向剖视结构示意图。 图3是图1的E部放大结构示意图。 图4是图3的B-B向剖视结构示意图。 图5是图2的D部放大结构示意图。 图6是图3的C-C向剖视结构示意图。具体实施方式如图1所示，本技术以行业编码为T0-251型直插式三极管引线框架为例，它 由包含多个相同单元体的引线框架1经底部边带IO横向连续排列而成；所述引线框架1包 括顶部的散热片13、中部的芯片岛6和底部的三个引脚2，相邻的所述引脚2之间设有连接 片3相连接固定，以确保本产品在连续轧制时引脚2不发生翘曲变形；所述芯片岛6与所述 散热片11相连部位设有横向通孔4。 如图1和图3所示，所述横向通孔4的两侧设有一对缺口 5 ;如图6所示，所述横 向通孔4的内周壁环布有突筋ll，所述突筋11的顶端尖锐。如图2和图5所示，所述引脚 2的焊区8根部表面设有多道沟槽9。 如图3和图4所示，所述芯片岛6的左、右、下三个侧面环布有加强筋7，所述加强 筋7的顶端尖锐；其中位于所述芯片岛6左、右两侧面的所述加强筋7设有多个弧形凹槽 12。 下面继续结合附图，简述本技术产品的工作原理。应用本产品封装时，封料填 充于横向通孔4及其两侧的一对缺口 5、所述引脚2焊区8根部的多道沟槽9等部位内，大 大增强了封料与芯片岛6的结合力，可以有效阻止水汽的浸入；同样在所述芯片岛6的三个 侧面环布加强筋7后，可以防止封料在所述芯片岛6的正面或者反面鼓起分层；又由于位于 所述芯片岛6左、右两侧面的所述加强筋7设有多个弧形凹槽12，封装时封料填充于弧形凹 槽12内，可以彻底根除封料相对于芯片岛6基体的上下滑移，从而大大提高半导体分立器 件运行的可靠性。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种直插式三极管引线框架，包括顶部的散热片（１３）、中部的芯片岛（６）和底部的三个引脚（２），相邻的所述引脚（２）之间设有连接片（３）相连接固定，其特征在于：所述芯片岛（６）与所述散热片（１１）相连部位设有横向通孔（４），所述横向通孔（４）的两侧设有一对缺口（５）；所述引脚（２）的焊区（８）根部表面设有多道沟槽（９），所述芯片岛（６）的左、右、下三个侧面环布有加强筋（７）；位于所述芯片岛（６）左、右两侧面的所述加强筋（７）设有多个弧形凹槽（１２）。

【技术特征摘要】
一种直插式三极管引线框架，包括顶部的散热片(13)、中部的芯片岛(6)和底部的三个引脚(2)，相邻的所述引脚(2)之间设有连接片(3)相连接固定，其特征在于所述芯片岛(6)与所述散热片(11)相连部位设有横向通孔(4)，所述横向通孔(4)的两侧设有一对缺口(5)；所述引脚(2)的焊区(8)...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝龙，陈楠，李靖，陈明明，
申请(专利权)人：宁波华龙电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]