光吸收剂及含有光吸收剂的有机抗反射涂层组合物制造技术

本发明专利技术涉及用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，和含有光吸收剂的有机抗反射膜合成物。所述光吸收剂是右下化学式（１ａ）、（１ｂ）的化合物，其混合物，或化学式（２）的化合物。其中在化学式（１ａ）和（１ｂ）中，Ｘ选自取代或非取代的具有１到２０个碳原子的环状化合物、芳基、二芳基醚、二芳基硫化物、二芳基亚砜和二芳基酮；且Ｒ１是氢原子，取代或非取代的含有１到１０个碳原子的烷基，或是含有１到１４个碳原子的芳基。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机抗反射涂层组合物，其能用于防止在内涂层上的反射且能防止在光刻过程中的驻波，并具有高的干蚀刻率，还涉及包含在上述组合物中的新型光吸收剂。更具体地说，本专利技术涉及一种可以一皮用在有机抗反射涂层生产中的新型光吸收剂和含有所述新型光吸收剂的有机抗反射涂层组合物，其中有机抗反射涂层有助于利用KrF准分子激光器进行半导体超细图形化。本专利技术还涉及利用上述有机抗反射涂层来图形化半导体装置的方法。
技术介绍
近来高集成的半导体装置在超-LST等的生产中需要线宽为0.10微米或更细的超细图形，而且也需要利用具有比现有在g-射线或i-射线区域中所使用的用于曝光的光波长更小的波长的光的光刻工艺。因此，利用KrF准分子激光器或ArF准分子激光器的微光刻工艺当前被应用在用于生产半导体装置的过程中。随着半导体装置的图形尺寸变得越来越小，只有当在曝光工艺的进程中反射率被维持在最大值小于1%的时候，才能获取均匀的图形，才能得到合适的工艺效益和期望的产率。因此，为了尽可能降低反射率和控制反射率以防止在内涂层中的反射来去除驻波，在光刻胶下布置能够吸光的含有有机分子的有机抗反射涂层变得重要。因本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，包括下列化学式（１ａ）的化合物，下列化学式（１ｂ）的化合物，或化学式（１ａ）和（１ｂ）化合物的混合物：　［化学式１ａ］　＊＊＊　［化学式１ｂ］　＊＊＊　其中在化学式（１ａ） 和（１ｂ）中，Ｘ是选自由取代或非取代的具有１到２０个碳原子的环状化合物、芳基、二芳基醚、二芳基硫化物、二芳基亚砜和二芳基酮所构成的组中的化合物；且Ｒ１是氢原子、取代或非取代的含有１到１０个碳原子的烷基、或者含有１到１４个碳原子的芳基。

【技术特征摘要】
KR 2008-4-11 10-2008-00337121、一种用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，包括下列化学式(1a)的化合物，下列化学式(1b)的化合物，或化学式(1a)和(1b)化合物的混合物[化学式1a][化学式1b]其中在化学式(1a)和(1b)中，X是选自由取代或非取代的具有1到20个碳原子的环状化合物、芳基、二芳基醚、二芳基硫化物、二芳基亚砜和二芳基酮所构成的组中的化合物；且R1是氢原子、取代或非取代的含有1到10个碳原子的烷基、或者含有1到14个碳原子的芳基。2、 一种用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，包括下列化学式(2)的化 合物[化学式2]<formula>formula see original document page 3</formula>其中在化学式(2)中，X是选自由取代或非取代的具有1到20个碳原子的环 状化合物、芳基、二芳基醚、二芳基硫化物、二芳基亚砜和二芳基酮所构成 的组中的化合物；且R1是氢原子，取代或非取代的含有1到IO个碳原子的 烷基、或者含有1到14个碳原子的芳基。3、 如权利要求1或2所述的用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，其中 上述化学式(la)的化合物、上述化学式(lb)的化合物或化学式(2)的化合物是在 碱性环境下反应得到的。4、 如权利要求3所述的用于有机抗反射涂层结构的光吸收剂，其中所述 碱是选自由二曱基氨基吡啶、吡啶、1,4-二氮杂双环[2.2.2]辛烷、1, 5-二氮 杂双环[4.3.0]壬烷、三乙胺、2,6-二叔丁基吡啶、二异丙基乙胺、二氮杂双环 十 一烯和四曱基乙二胺所构成的组中的化合物。5、 一种有机抗反射涂层组合物，包括权利要求1或2所述的光吸收剂、 聚合物、热酸生成剂、交联剂和溶剂。6、 如权利要求5所述的有机抗反射涂层组...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴柱炫，李俊昊，
申请(专利权)人：韩国锦湖石油化学株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]