【技术实现步骤摘要】
本实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
1、在制造半导体装置时，有时将2个衬底接合，然后，通过照射激光光来将2个衬底中一个衬底剥离(激光剥离)。业界期望提高该激光剥离的产能。
技术实现思路
1、根据一个实施方式，提供半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包含准备形成着二维分布的多个凸部的第1衬底。半导体装置的制造方法包含在第1衬底的多个凸部积层第1膜。半导体装置的制造方法包含在第2衬底积层第2膜。半导体装置的制造方法包含将第1膜中的第1衬底的相反侧的主面与第2膜中的第2衬底的相反侧的主面接合。半导体装置的制造方法包含从第1衬底这一侧照射激光光。半导体装置的制造方法包含剥离第1衬底。激光光的点区域的直径大于第1衬底的主面中的凸部的平均配置间距。
2、根据一个实施方式，能够提供一种能够提高激光剥离的产能的半导体装置的制造方法。
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，具备以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在从与所述第1衬底的主面垂直的方向透视的情况下，所述激光光的点区域与所述多个凸部中的2个以上的凸部重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中在从与所述第1衬底的主面垂直的方向透视的情况下，所述激光光的点区域在内侧包含所述2个以上的凸部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个凸部是将所述第1衬底的主面加工而形成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个凸部是
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【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，具备以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在从与所述第1衬底的主面垂直的方向透视的情况下，所述激光光的点区域与所述多个凸部中的2个以上的凸部重叠。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中在从与所述第1衬底的主面垂直的方向透视的情况下，所述激光光的点区域在内侧包含所述2个以上的凸部。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个凸部是将所述第1衬底的主面加工而形成。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述多个凸部是
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第1衬底的热膨胀系数大于所述第1膜的热膨胀系数。
7.一种半...
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