【技术实现步骤摘要】
本专利技术整体涉及 一 种自旋转移力矩磁阻式随机存取存储 (STT-MRAM)器件，更具体地说，本专利技术涉及一种这样的多层叠 堆STT-MRAM器件及其制造方法，该STT-MRAM器件包括相邻单 元的分别在不同层中形成的磁性隧道结(MTJ)。
技术介绍
动态随机存取存储器(DRAM)占有最大的存储器市场。DRAM 包括用作1位的成对的MOS晶体管和电容器。因为DRAM通过将 电荷存储在电容器中来写入数据，因此DRAM是一种需要周期性地 执行刷新操作以避免丢失数据的易失性存储器。作为非易失性存储器的实例，NAND/NOR闪速存储器与硬盘一 样，即使电源关断也不会丢失所存储的信号。具体地说，在常见的存 储器中NAND闪速存储器具有最高的集成度。这种闪速存储器由于 可以制成体积小于硬盘因而重量较轻，并且耐物理冲击，存取速度高， 功率损耗小。因此，已经将NAND闪速存储器用作可移动产品的存 储介质。然而，闪速存储器的速度比DRAM的速度慢，并且具有高 的操作电压。存储器的用途是各式各样的。如上所述，因为DRAM和闪速存 储器具有不同的特性，因而分别适合于不同的产品。近...
【技术保护点】
一种多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储（ＳＴＴ－ＭＲＡＭ）器件，包括： 第一磁性隧道结（ＭＴＪ），其连接至第一单元的第一源极／漏极区域；以及 第二ＭＴＪ，其连接至与所述第一单元相邻的第二单元的第一源极／漏极区域；其中， 所述第一ＭＴＪ和所述第二ＭＴＪ分别形成在不同的层中。
【技术特征摘要】
KR 2008-7-25 10-2008-00728231.一种多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储(STT-MRAM)器件，包括第一磁性隧道结(MTJ)，其连接至第一单元的第一源极/漏极区域；以及第二MTJ，其连接至与所述第一单元相邻的第二单元的第一源极/漏极区域；其中，所述第一MTJ和所述第二MTJ分别形成在不同的层中。2. 根据权利要求1所述的多层叠堆STT-MRAM器件，还包括 第一电源线，其连接至所述第一单元的第二源极/漏极区域；以及第二电源线，其连接至所述第二单元的第二源极/漏极区域。3. 根据权利要求2所述的多层叠堆STT-MRAM器件，其中，所述第一电源线和所述第二电源线形成在同一层中。4. 根据权利要求1所述的多层叠堆STT-MRAM器件，其中，所述第一单元和所述第二单元分别形成在不同的有源区中。5. 根据权利要求1所述的多层叠堆STT-MRAM器件，还包括共同的电源线，其连接至由所述第一单元和所述第二单元所共 享的第三源极/漏极区域。6. 根据权利要求1所述的多层叠堆STT-MRAM器件，其中， 所述第一MTJ和所述第二MTJ中的每一者都形成为具有正方形或矩形的形状。7. 根据权利要求6所述的多层叠堆STT-MRAM器件，其中，所述第一MTJ和所述第二MTJ中的每一者各自的宽度与长度的比例都为1: 1至1: 5。8. 根据权利要求1所述的多层叠堆STT-MRAM器件，其中， 所述第一MTJ和所述第二MTJ中的每一者都形成为具有圆形或椭圆形的形状。9. 根据权利要求8所述的多层叠堆STT-MRAM器件，其中， 所述第一MTJ和所述第二MTJ中的每一者各自的长轴与短轴的 比例都为1: 1至1: 5。10. —种制造多层叠堆自旋转移力矩磁阻式随机存取存储 (STT-MRAM)器件的方法，所述方法包括在半导体基板上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极上方形成第一电源线和第 二电源线，所述第一电源线连接至与所述第一栅电极相邻的第一源极 /漏极区域，所述第二电源线连接至与所述第二栅电极相邻的第二源 极/漏极区域；在所述第一电源线和所述第二电源线上方形成第一磁性隧道结 (MTJ)，所述第一MTJ连接至与所述第一栅电极相邻的第三源极/漏极区域；以及在所述第一 MTJ上方形成第二 MTJ，所述第二 MTJ连接至与 所述第二栅电极相邻的第四源极/漏极区域。11. 根据权利要求IO所述的方法，其中， 形成所述第一电源线和所述第二电源线的步骤包括 在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形成第一层间绝缘膜； 选择性地蚀刻所述第一层间绝缘膜以形成第一电源线触点和第二电源线触点，所述第一电源线触点和所述第二电源线触点分别连接 至所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域；以及在所述第一层间绝缘膜、所述第一电源线触点以及所述第二电 源线触点上形成金属膜，并使所述金属膜图案化。12. 根据权利要求11所述的方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄祥珉，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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