【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、本公开涉及存储装置及其操作方法。
2、闪存是一种低成本、高密度、非易失性固态存储介质，其可以被电擦除和重新编程。闪存包括nor闪存和nand闪存。闪存可以执行各种操作，例如读取、编程(写入)和擦除。对于nand闪存，可以在块电平别执行擦除操作，并且可以在页电平别执行编程操作或读取操作。
技术实现思路
1、在一方面，一种存储装置包括存储单元的阵列、分别耦合到存储单元的行的字线、以及通过字线耦合到存储单元的阵列并被配置为读取存储单元的行中的选定行的外围电路。外围电路包括字线驱动器，其通过字线中的选定字线耦合到所述选定行，并通过字线中的未选定字线耦合到存储单元的行中的未选定行，并被配置为向未选定字线施加通过电压，并将未选定字线从通过电压放电到大于存储单元的阵列的电源电压的第一恢复电压。
2、在一些实施方式中，字线驱动器还被配置为向选定字线施加读取电压，并且将选定字线从读取电压放电到大于电源电压的第二恢复电压。
3、在一些实施方式中，第二恢复电压...
【技术保护点】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述字线驱动器还被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述第二恢复电压小于所述第一恢复电压。
4.根据权利要求2或3所述的存储装置，其中，所述未选定字线紧邻所述选定字线。
5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述字线驱动器被配置为同时开始对所述选定字线和所述未选定字线进行放电。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储装置，其中，所述外围电路还包括控制逻辑单元，所述控制逻辑单元耦合到所述字线驱动器并且被配置为设置所述字线驱动器...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种存储装置，包括：
2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述字线驱动器还被配置为：
3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述第二恢复电压小于所述第一恢复电压。
4.根据权利要求2或3所述的存储装置，其中，所述未选定字线紧邻所述选定字线。
5.根据权利要求4所述的存储装置，其中，所述字线驱动器被配置为同时开始对所述选定字线和所述未选定字线进行放电。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的存储装置，其中，所述外围电路还包括控制逻辑单元，所述控制逻辑单元耦合到所述字线驱动器并且被配置为设置所述字线驱动器对所述未选定字线进行放电的持续时间。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的存储装置，其中，所述外围电路还包括控制逻辑单元，所述控制逻辑单元耦合到所述字线驱动器并且被配置为设置所述字线驱动器对所述未选定字线进行放电的所述第一恢复电压。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的存储装置，其中，所述存储装置是三维(3d)nand存储装置。
9.一种用于读取包括存储单元的存储装置的方法，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，还包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二恢复电压小于所述第一恢复电压。
...【专利技术属性】
技术研发人员：刘双，储凌，王曼曦，焦三珊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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