数据存储结构、芯片及电子设备制造技术

本申请涉及集成电路设计领域，提供一种数据存储结构、芯片及电子设备。数据存储结构包括：半动态寄存器，包括第一动态锁存结构和第二静态锁存结构，所述第一动态锁存结构和所述第二静态锁存结构之间数据连接；所述第一动态锁存结构基于电极节点处的寄生电容存储电荷；所述第二静态锁存结构包括数据传输通路和反馈环路；所述第二静态锁存结构基于所述反馈环路存储数据；所述第一动态锁存结构占用面积小于所述第二静态锁存结构占用芯片面积。上述数据存储结构的半动态寄存器具有占用面积小、数据稳定性高的特点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路设计领域，具体而言，涉及一种数据存储结构、芯片及电子设备。

技术介绍

1、现代集成电路设计中，寄存器作为常用的存储数据信息的基础单元，普遍应用于时序逻辑之中。寄存器可以分为static d-flip-flop(静态寄存器)和dynamic d-flip-flop(动态寄存器)。二者各有优缺点。静态寄存器的数据稳定不易失，但其电路较为复杂，如图1的(a)所示，其需占用较大的芯片面积。如图1的(b)所示，动态寄存器占用面积小、功耗小，但动态寄存器是通过器件的内部存储节点寄生电容存储数据，动态节点存储的数据易受漏电影响，导致数据易丢失。

2、目前，需要一种占用芯片面积较小、稳定存储数据的寄存器及数据存储结构。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请旨在提供一种数据存储结构、芯片及电子设备，以使得寄存器的数据稳定性和占用芯片面积均具有较好的效果。

2、第一方面，本申请实施例提供一种数据存储结构，包括：半动态寄存器，包括第一动态锁存结构和第二静态锁存结构，所述第一动态锁存结构和所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种数据存储结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的数据存储结构，其特征在于，所述数据存储结构还包括：

3.根据权利要求2所述的数据存储结构，其特征在于，所述脉冲时钟生成模块包括脉冲宽度调制电路；

4.根据权利要求2所述的数据存储结构，其特征在于，所述脉冲时钟生成模块包括：切沿电路；

5.根据权利要求1所述的数据存储结构，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的数据存储结构，其特征在于，所述第一动态锁存结构包括传输门；所述传输门包括第一NMOS和第一PMOS；所述第一NMOS和所述第一PMOS的栅极分别连接...

【技术特征摘要】

1.一种数据存储结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的数据存储结构，其特征在于，所述数据存储结构还包括：

3.根据权利要求2所述的数据存储结构，其特征在于，所述脉冲时钟生成模块包括脉冲宽度调制电路；

4.根据权利要求2所述的数据存储结构，其特征在于，所述脉冲时钟生成模块包括：切沿电路；

5.根据权利要求1所述的数据存储结构，其特征在于，

6.根据权利要求1-5任一项所述的数据存储结构，其特征在于，所述第一动态锁存结构包括传输门；所述传输门包括第一nmos和第一pmos；所述第一nmos和所述第一pmos的栅极分别连接不同的时钟端，不同时钟端用于输出相反的时钟信号；所述第一nmos和所述第一pmos的源极与输入数据的端口连接，所述第一nmos和所述第一pmos的漏极用于输出数据。

7.根据权利要求1-5任一项所述的数据存储结构，其特征在于，所述第二静态锁存结构包括传输单元和反馈环路，所述传输单元包括第二pmos、第三pmos、第三nmos、第二nmos；

8.根据权利要求1-5任一项所述的数据存储结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘杰尧，
申请(专利权)人：杭州缘及科技有限公司，
类型：发明
国别省市：