本发明专利技术提供一种具电磁波相容（ＥＭＣ）镀层的电子元件封装体。一电子元件封装体包括一芯片级封装体具有一ＣＭＯＳ图像传感器阵列芯片以及一组光学构件。一封胶层定义该芯片级封装体的外框，一遮蔽件设置于该封胶层的顶层上，一框架将该组光学构件固定于该封胶层上，以及一电磁波相容镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。本发明专利技术形成不具导电性的电磁波相容镀层于电子元件封装体上，使得源自外界所产生的电磁波ＥＭ会被此电磁波相容镀层吸收或减弱，以避免电磁波干扰效应。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电子元件封装体，尤其涉及一种具电磁波相容(EMC)镀 层的图像感测元件封装体。
技术介绍
抗电磁波干扰(anti-electromagnetic interference,简称anti-EMI)或电磁波 相容(electromagnetic compatibility,简称EMC)对釆用高解析度电子图像传感 器的数字照相机而言是必需的技术手段。在传统上，使用金属盒做为电磁波 相容的物件，以避免数字相机系统中其他构件所造成的电磁波干扰效应。虽 然使用金属盒在机械性方面有许多优点，然而其占去过多的系统空间。再者， 在组装时发生错误或之后测试时发现失效，其返工或重制的工序将非常困 难，因而导致高制造成本及低工艺合格率。美国专利早期公开案号US Pub. No. 2003/0223008揭示一相机模块，由 一图像感测模块所构成，并且其与一图像信号处理单元封装于一基材上。一 EMC层设置在该基材的背面。图1显示传统上使用金属盒组装于一图像传感器模块上。请参阅图1， 一光电元件封装体10包括一金属盒9组装于一图像传感器模块上。此图像 传感器模块是由一图像传感器芯片级封装体(CSP)3， 一玻璃顶盖5设置于该 CSP上，以及一组具有光圈6的光学透镜7。应注意的是，欲使上述金属盒 9顺应该图像传感器模块是非常困难的。实际上，具有金属盒的组装体将进 一步焊接并封装于一印刷电路板(未示出)上，再借助印刷电路板的电路延伸 接地。因此需要额外的封装工艺，以达电磁波相容(EMC)的效果，然而此组 装步骤也将造成额外的制造成本。再者，此搭配金属盒的光电元件封装体10 仅能在组装于印刷电路板及延伸接地的后段工艺完成之后，方能进行电性测 试。因此，当抗电磁波干扰(anti-EMI)能力测试发生失效时，此光电元件封装 体的返工或重制的工序将是非常困难。有鉴于此，业界急需一种具电磁波相容遮蔽效果的光电元件封装体，能避免返工时的且避免电磁波散射干扰的效 应。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种具电磁波相容(EMC)遮蔽效果的电子元件封 装体，以改善上述公知技术的不足。有鉴于此，本专利技术的实施例提供一种具电磁波相容(EMC)遮蔽效果的电 子元件封装体。此电子元件封装体进一步配置一抗电磁波干涉镀层的光圈， 以避免内部电磁波散射干扰的效应。本专利技术的一技术方案在于提供一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元件 封装体，其包括 一芯片级封装体具有一图像传感器阵列芯片以及一组光学 构件； 一封胶层定义该芯片级封装体的外框；以及一电磁波相容(EMC)镀层 设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。本专利技术的另一技术方案在于提供一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元 件封装体，其包括 一芯片级封装体具有一CMOS图像传感器阵列芯片以及 一组光学构件； 一封胶层定义该芯片级封装体的外框； 一遮蔽件设置于该封 胶层的顶层上； 一框架将该组光学构件固定于该封胶层上；以及一电磁波相 容镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。本专利技术上述各实施例的优点在于形成不具导电性的电磁波相容镀层于 电子元件封装体上，使得源自外界所产生的电磁波EM会被此电磁波相容镀 层吸收或减弱，以避免电磁波干扰效应。再者，部分电磁波反射层可形成于 一顶遮蔽件上、或透镜的框架上，及/或于该封胶层的一内表面上，以避免或 吸收该电子元件封装体的内部反(散)射光的影响。为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施 例，并配合附图，作详细说明如下附图说明图1显示传统上使用金属盒组装于一图像传感器模块上； 图2A显示根据本专利技术第一实施例的具电磁波相容(EMC)镀层的电子元 件封装体的剖面示意图；图2B显示在图2A中吸收层140的局部区域2B的放大图； 图3A显示根据本专利技术第二实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装 体的剖面示意图3B显示在图3A中混层吸收层140和150的局部区域3B的放大图； 图4显示根据本专利技术第三实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图5显示根据本专利技术第四实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图；以及图6显示根据本专利技术第五实施例的具电磁波相容镀层的电子元件封装体 的剖面示意图。其中，附图标记说明如下公知部分(图1)3 图像传感器芯片级封装体(CSP);5-玻璃顶盖；6~光圈；7 光学透镜组；9 金属盒；10 光电元件封装体。 本专利技术部分(图2A 图6) 1 OOa-100e~电子元件封装体；110 图像传感器阵列芯片； 111 CM0S图像感测芯片； 112 感测阵列面； 113 间隙子(dam)结构；114 电极垫； 115~间隙； 116 保护层； 117 透明基板；118 球栅阵列(ba11 grids);120 顶盖玻璃；125 封胶层； 130 光学构件；130a和130b 光学透镜组；135~光圈；140、 140a、 140， 电磁波相容(EMC)镀层;145 遮蔽件；150 部分电磁波反射层；155 部分电磁波反射层；160a和160b 部分电磁波反射层； 165~框架。具体实施例方式以下以各实施例详细说明并伴随着附图说明的范例，做为本专利技术的参考 依据。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。 再者，附图中各元件的部分将以分别描述说明之，另外，特定的实施例仅为 揭示本专利技术使用的特定方式，其并非用以限定本专利技术。图2A显示根据本专利技术第一实施例的具电磁波相容(EMC)镀层的电子元 件封装体的剖面示意图。图2B显示在图2A中吸收层140的局部区域2B的 放大图。请参阅图2A， 一电子元件封装体100a包括一芯片级封装体具有一 图像传感器阵列芯片110以及一组光学构件130。 一封胶层125模铸于该芯 片级封装体之上。 一顶盖玻璃120设置于该图像传感器阵列芯片110与该组 光学构件130之间。 一电磁波相容(EMC)镀层140设置于封胶层上，以避免 电磁波干扰效应。该芯片级封装体可为一互补式金属氧化半导体(CMOS)图像感测芯片。 配置一透明基板117以做为该封装体的支撑基材。一 CMOS图像感测芯片 111具有一感测阵列面112及多个电极垫114，贴附于该透明基板117上。 一间隙子(dam)结构113夹置于该图像感测芯片111和该透明基板117，并形 成一间隙115于感测阵列面112上方。一保护层116形成于该CMOS图像感 测芯片111上方。多条电性连线(未示出)自所述多个电极垫114延伸至封装 体背面的保护层116上的球栅阵列(ba11 grids) 118。根据本专利技术的一实施例，此电磁波相容镀层140设置于该封胶层125的 一外表面上。该电磁波相容镀层140可为一电磁波吸收层，其包括一铁磁性 (ferromagnetic)材料、 一 亚铁磁性(ferrite magnetic)材料及 一 反亚铁磁性 (anti-ferritemagnetic)材料。该电磁波相容镀层140应为非导电性材料，或不 良导体。再者，该电磁波相容镀层140可由喷涂法(spraying)、旋转涂布法(spin coating)、浸置法(dipping)、贴附法(tapping)或溅镀法(sputterin本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具电磁波相容（ＥＭＣ）镀层的电子元件封装体，包括： 一芯片级封装体具有一图像传感器阵列芯片以及一组光学构件； 一封胶层定义该芯片级封装体的外框；以及 一电磁波相容（ＥＭＣ）镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。
【技术特征摘要】
US 2008-7-10 12/170,8571.一种具电磁波相容(EMC)镀层的电子元件封装体，包括一芯片级封装体具有一图像传感器阵列芯片以及一组光学构件；一封胶层定义该芯片级封装体的外框；以及一电磁波相容(EMC)镀层设置于封胶层上，以避免电磁波干扰效应。2. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波相容镀层设置于该封胶层的一外表面上。3. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波相容镀层包括一 电磁波吸收层。4. 如权利要求3所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波吸收层包括一铁磁性材料、 一亚铁磁性材料及一反亚铁磁性材料。5. 如权利要求1所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该电 磁波相容镀层为一混层结构，其包括一电磁波吸收层和一部分电磁波反射 层。6. 如权利要求5所述的具电磁波相容镀层的电子元件封装体，其中该部 分电磁波反射层为一导电金属，其包括银、铜、镍及上述金属的任意组合。7. 如权利要求5所述的具电磁波...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊信昌，林孜翰，郑杰元，曾立鑫，
申请(专利权)人：采钰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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