【技术实现步骤摘要】
本专利技术的实施例涉及半导体装置设计及制作的领域。更具体来说，本专利技术的实施例涉及包含堆叠结构的半导体装置，所述堆叠结构包括具有与控制逻辑层级及额外控制逻辑层级操作地相关联的存储器层级的叠层，且涉及相关存储器装置、电子系统及方法。
技术介绍
1、半导体装置设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分离距离来增加半导体装置内的集成水平或特征密度。另外，半导体装置设计者通常期望设计不仅紧凑而且提供性能优点以及经简化设计的架构。
2、半导体装置的一个实例为存储器装置。存储器装置通常作为计算机或其它电子装置中的内部集成电路而提供。存在许多不同类型的存储器，包含但不限于随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态随机存取存储器(dram)、同步动态随机存取存储器(sdram)、快闪存储器及可变电阻存储器。可变电阻存储器的非限制性实例包含电阻式随机存取存储器(reram)、导电桥接随机存取存储器(导电桥接ram)、磁性随机存取存储器(mram)、相变材料(pcm)存储器、相变随机存取存储器(pcram)、自旋...
【技术保护点】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一控制逻辑装置及所述第二控制逻辑装置包括互补金属氧化物半导体装置。
3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
4.一种装置，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二堆叠结构及所述第三堆叠结构具有与第一堆叠结构的几何配置基本上类似的几何配置。
7.根据权利要求5所述的装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括：
9.根据权利要求7所述的装
<...【技术特征摘要】
1.一种装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一控制逻辑装置及所述第二控制逻辑装置包括互补金属氧化物半导体装置。
3.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：
4.一种装置，进一步包括：
5.根据权利要求4所述的装置，进一步包括：
6.根据权利要求5所述的装置，其中所述第二堆叠结构及所述第三堆叠结构具有与第一堆叠结构的几何配置基本上类似的几何配置。
7.根据权利要求5所述的装置，还包括：
8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括：
9.根据权利要求7所述的装置，其中：
10.一种存储器装置，其包括：
11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述互连结构电耦合到所述堆叠结构的所述两者中的每一者的所述控制逻辑层级。
12.根据权利要求11所述的存储器装置，其中所述额外互连结构电耦合...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·E·西里斯，K·D·拜格尔，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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