【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子信息，具体地，涉及一种基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列。
技术介绍
1、随着数字时代的到来，海量的数据激发了人工智能和机器学习的广泛应用，但现有冯·诺依曼构架中处理器和内存的分离形式难以应对未来超大规模的数据计算。这不仅表现在内存墙对数据高速传输的阻碍，而且频繁的访问会带来严重的功耗问题。因此，发展具有存算一体的高密度器件集成是突破冯诺依曼瓶颈和摩尔定律的发展方向之一。
2、忆阻器的电阻值可以通过施加电压或电流来改变，而改变后的电阻值可以被保持下来，这种性质使得忆阻器适合作为存储器件。同时，忆阻器具有快速响应、低功耗、可重写性、存算结合和较高的存储密度等优点，因此被广泛应用于人工智能、芯片设计、电路设计等领域。其中，由于有机分子具有分子级别的设计性，分子忆阻器可以在分子级别实现信息的存储和读取，为器件层面提供高鲁棒性和集成阵列层面提供可靠性。因此，分子忆阻器被认为是未来高密度计算的重要发展方向之一，可以为人工智能、神经网络、智能芯片等领域带来革命性的变化。
技术实现思路<
本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，由下至上依次包括：
2.根据权利要求1所述的基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，所述金属有机配位聚合物由有机小分子和金属盐合成，所述多级氧化还原结构由有机小分子和金属的多种配位方式形成。
3.根据权利要求2所述的基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，所述多种配位方式包括：金属离子与不同有机小分子上的极性基团配位导致的多级氧化还原结构，以及使用不同金属离子与同一有机小分子配位产生的多级氧化还原结构。
4.根据权利要求2所述的基于金属有机配位...
【技术特征摘要】
1.一种基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，由下至上依次包括：
2.根据权利要求1所述的基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，所述金属有机配位聚合物由有机小分子和金属盐合成，所述多级氧化还原结构由有机小分子和金属的多种配位方式形成。
3.根据权利要求2所述的基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，所述多种配位方式包括：金属离子与不同有机小分子上的极性基团配位导致的多级氧化还原结构，以及使用不同金属离子与同一有机小分子配位产生的多级氧化还原结构。
4.根据权利要求2所述的基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，所述有机小分子包括苯及其衍生物、卟啉及其衍生物、酞菁及其衍生物中的任意一种，所述有机小分子的官能团包括-oh、-nh2、-sh和-cooh中的任意一种。
5.根据权利要求2所述的基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，其特征在于，所述金属盐包括fecl2、cocl2、nicl2、cucl2、zncl2、feso4、coso4、niso4、c...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。