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本发明提供一种基于金属有机配位聚合物的鲁棒性忆阻器阵列，由下至上依次包括：底电极层；阻变层，所述阻变层采用金属有机配位聚合物，所述金属有机配位聚合物具有多级氧化还原结构，在电压激励下，所述阻变层发生氧化还原反应产生阻变，所述多级氧化还原结构...
该专利属于上海交通大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海交通大学授权不得商用。

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