【技术实现步骤摘要】
实施例涉及半导体装置。更具体地,实施例涉及包括在竖直方向上顺序堆叠的多个沟道的半导体装置。
技术介绍
1、在制造包括沿竖直方向顺序堆叠的多个沟道的半导体装置的方法中,在沿竖直方向交替且重复堆叠的牺牲线和半导体线上形成虚设栅极结构和栅极间隔件,使用虚设栅极结构和栅极间隔件作为蚀刻掩模来执行蚀刻工艺而蚀刻半导体线和牺牲线以分别形成半导体图案和牺牲图案,形成源极/漏极层以接触半导体图案的侧壁,通过蚀刻工艺穿过牺牲图案形成开口,并且在开口中形成栅极结构。
2、由于半导体装置的集成度增加,开口会具有减小的直径,因此用于形成开口的工艺变得更有挑战性。
技术实现思路
1、实施例提供了一种具有增强特性的半导体装置。
2、根据实施例,提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:有源图案,设置在基底上;栅极结构,设置在所述有源图案上;沟道,设置在所述基底上,并且在基本垂直于所述基底的上表面的竖直方向上彼此间隔开;第一外延层,设置在所述有源图案的与所述栅极结构相邻的部分上;以及接触插塞,设
...【技术保护点】
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述接触插塞的所述中部的上表面与所述第一外延层的最上表面基本共面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述接触插塞的所述中部的所述上表面的宽度基本等于所述接触插塞的所述上部的下表面的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述接触插塞的所述中部的上表面的宽度大于所述接触插塞的所述上部的下表面的宽度。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,所述半导体装置还包括:第二外延
...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述接触插塞的所述中部的上表面与所述第一外延层的最上表面基本共面。
3.根据权利要求2所述的半导体装置,其中,所述接触插塞的所述中部的所述上表面的宽度基本等于所述接触插塞的所述上部的下表面的宽度。
4.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,
5.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述接触插塞的所述中部的上表面的宽度大于所述接触插塞的所述上部的下表面的宽度。
6.根据权利要求5所述的半导体装置,所述半导体装置还包括:第二外延层,设置在所述第一外延层上,其中,所述第二外延层接触所述接触插塞的所述上部的侧壁。
7.根据权利要求6所述的半导体装置,其中,所述第二外延层包括硅和掺杂有p型杂质的硅中的一种。
8.根据权利要求6所述的半导体装置,所述半导体装置还包括:
9.根据权利要求1所述的半导体装置,其中,所述第一外延层包括掺杂有n型杂质的硅或掺杂有n型杂质的碳化硅。
10.一种半导体装置,所述半导体装置包括:...
【专利技术属性】
技术研发人员:张仁圭,金真范,郑秀珍,金傔,金茶惠,
申请(专利权)人:三星电子株式会社,
类型:发明
国别省市:
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