【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、在半导体集成电路的制作过程中，通常需要在半导体器件中形成互连层以连接不同的区域或者膜层。一般的，形成互连层的步骤包括：在待形成互连层的区域形成沟槽；采用金属化学气相沉积或者电镀工艺，形成填充满沟槽的互连层。其中，采用电镀工艺形成的互连层具有较好的导电性能，且有利于提高互连层和沟槽内壁之间的粘附性，因此，采用电镀工艺形成互连层为目前较为常用的一种方式。
2、然而，目前形成的互连层的性能有待提高。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，至少有利于提高形成的半导体结构的性能及可靠性。
2、根据本公开一些实施例，本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底以及位于所述基底上的介质层，所述介质层内具有贯穿所述介质层的通孔，所述通孔具有远离所述基底的第一端部；进行第一电镀工艺，在所述介质层表面以及所述通孔的内壁形成第一互连层；通入第一保护气体，所述第一保护气体充满所述通孔...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述液态密封膜的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在通入所述第二保护气体期间，旋转所述基底的转速为400rpm～600rpm。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二保护气体包括水蒸气，所述液态密封膜包括水膜。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一保护气体包括二氧化碳、氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的任意一
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述液态密封膜的方法包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在通入所述第二保护气体期间，旋转所述基底的转速为400rpm～600rpm。
4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二保护气体包括水蒸气，所述液态密封膜包括水膜。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一保护气体包括二氧化碳、氮气、氦气、氖气、氩气、氪气、氙气、氡气中的任意一种或多种。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一保护气体为二氧化碳与氮气的混合气体，其中，二氧化碳的流量与氮气的流量之比大于或等于3。
7.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一保护气体的流量为2sccm～10sccm。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一电镀工艺包括：将所述基底置于第一电镀液中，所述基底连接电源负极，且采用的电流为第一电流；
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第二电流大于所述第一电流，所述第二电流大于所述第三电流，所述第三电流大于所述第一电流...
【专利技术属性】
技术研发人员：马克，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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