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本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，制造方法包括：提供基底以及位于基底上的介质层，介质层内具有贯穿介质层的通孔，通孔具有远离基底的第一端部；进行第一电镀工艺，在介质层表面和通孔的内壁形成第一互连层；通入第一保护气体，第一保护气体充满通...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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