抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法技术

技术编号:4212794 阅读:254 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法。本发明专利技术采用等离子体增强化学气相沉积技术,在硅片上沉积一层类金刚石薄膜。该方法成本低廉而且容易操作,制备的薄膜均匀,薄膜与基底的结合紧密,薄膜具有优良的抗电化学腐蚀特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制备具有优异抗腐蚀性能的类金刚石薄膜的方法.
技术介绍
类金刚石碳(diamond-like carbon, DLC)薄膜由于具有极高的硬度、极好的化学惰性、极低的摩擦系数、优良的抗磨性和良好的热传导性等优异特性,因此在电化学、机械、摩擦学、航空航天等领域具有广泛的应用前景。目前在类金刚石碳薄膜的电化学腐蚀行为研究中,其腐蚀电流一般都在微米量级,这限制了其在苛刻条件下的的应用范围。 等离子体增强化学气相沉积是制备类金刚石薄膜的一种最常用的方法。等离子体化学气相沉积技术原理是利用低温等离子体(非平衡等离子体)作能量源,工件置于低气压下辉光放电的阴极上,通入适量的反应气体,在射频电源和直流负偏压的诱导下,使气体等离子体化。气体经一系列化学反应和等离子体反应,在工件表面形成固态薄膜。它包括了化学气相沉积的一般技术,又有辉光放电的强化作用。由于粒子间的碰撞,产生剧烈的气体电离,使反应气体受到活化,整个沉积过程与仅有热激活的过程有显著不同。这对于提高涂层结合力,降低沉积温度,加快反应速度诸方面都创造了有利条件。特别地,当使用射频-直流电源作激发源时,产生的等离子体比较简单,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:  A将预先清洁后的硅片连续放入丙酮、乙醇中超声清洗,然后转移至真空腔,放置在下部的基底盘上,基底盘和射频电源及负偏压电源相连;抽真空直到腔内真空度小于2.0×10↑[-3]Pa;  B通入氩气,在脉冲负偏压300伏特条件下进行等离子体清洗,用以除去表面残留的杂质和污染物;  C通入甲烷和氢气,在射频电源100W,脉冲负偏压200伏特、沉积气压13帕条件下镀膜2-3小时。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张俊彦王舟王成兵王琦
申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
类型:发明
国别省市:62[中国|甘肃]

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