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本发明公开了一种抗腐蚀类金刚石薄膜的制备方法。本发明采用等离子体增强化学气相沉积技术，在硅片上沉积一层类金刚石薄膜。该方法成本低廉而且容易操作，制备的薄膜均匀，薄膜与基底的结合紧密，薄膜具有优良的抗电化学腐蚀特性。...
该专利属于中国科学院兰州化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院兰州化学物理研究所授权不得商用。

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