【技术实现步骤摘要】
所公开的技术涉及半导体装置及用于制造该半导体装置的方法。
技术介绍
1、为了半导体装置的高度集成，正在开发用于层叠半导体装置的技术，以通过将必要的电路或装置集成在两个基板(上基板和下基板)上然后将这两个基板接合来减小芯片的面积。
2、待接合的上基板和下基板上的元件需要彼此电连接，并且为此目的使用混合接合。
技术实现思路
1、所公开的技术可以在各种实现方式中实现以提供半导体装置的结构和制造方法的设计，该半导体装置包括能够防止由于在图案化工艺期间生成的副产物而导致的某些缺陷(例如，具有固定模式噪声(fpn)的缺陷)的半导体成像装置，并且更一般地包括具有形成在接合在一起的两个基板上的组件的半导体装置。所公开的技术可以用于各种应用中，包括但不限于图像感测装置和其它半导体装置。
2、一个实施方式是一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成第一金属层；在第一金属层上形成导电层；在导电层上形成覆盖层；蚀刻第一金属层、导电层和覆盖层；沉积接合氧化物层；蚀刻接合氧化物层和覆盖...
【技术保护点】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求1所述的方法，
4.根据权利要求1所述的方法，
5.根据权利要求1所述的方法，
6.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置，
9.根据权利要求8所述的半导体装置，
10.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
11.根据权利要求10所述的半导体装置，
12.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，
3.根据权利要求1所述的方法，
4.根据权利要求1所述的方法，
5.根据权利要求1所述的方法，
6.一种半导体装置，所述半导体装置包括：
7.根据权利要求6所述的半导体装置，
8.根据权利要求7所述的半导体装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：崔正默，李金珠，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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