【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体装置，尤其涉及一种具有降低的接触电阻的多栅极半导体装置。
技术介绍
1、半导体集成电路(ic)行业经历了快速增长。集成电路(ic)材料及设计方面的技术进步产生了多代集成电路(ic)，每一代都具有比上一代更小、更复杂的电路。在集成电路(ic)发展过程中，功能密度(即每芯片面积的内连装置数量)普遍增加，而几何尺寸(即，可以使用制造工艺形成的最小部件(或线))却为减小。此微缩化工艺通常通过提高生产效率及降低相关成本而提供许多好处。此微缩化也增加了处理及制造集成电路(ic)的复杂性。
2、举例来说，随着集成电路(ic)技术朝着更小的技术节点发展引入了多栅极装置，以通过增加栅极-通道耦接、减少闭态电流及降低短通道效应(short-channel effect,sce)来改进栅极控制。多栅极装置通常是指具有栅极结构或其一部分的装置，其设置在通道区的多于一侧之上。鳍式场效晶体管(fin-like field effect transistor,finfet)及多桥通道(multi-bridge-channel,mbc)...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该硅化物层包括设置于该源极/漏极特征部件的一上表面上的一第一部分，以及沿该源极/漏极特征部件的一侧壁表面设置的一第二部分，该硅化物层的该第一部分的一厚度不同于该硅化物层的该第二部分的一厚度。
5.如权利要求1、2、3或4任一项所述的半导体装置，其特征在于，其中该硅化物层包括形成于该源极/漏极特征部件的一侧壁表面上的一第一部...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该硅化物层包括设置于该源极/漏极特征部件的一上表面上的一第一部分，以及沿该源极/漏极特征部件的一侧壁表面设置的一第二部分，该硅化物层的该第一部分的一厚度不同于该硅化物层的该第二部分的一厚度。
5.如权利要求1、2、3或4任一项所述的半导体装置，其特征在于，其中该硅化物层包括形成于该源极/漏极特征部件的一侧壁表面上的一第一部分，以及形成于该源极/漏极特征部件的一上表面上的一第二部分，该第一部分的一厚度不同于该第二部分的...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑振辉，陈柏宁，刘昌淼，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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