一种半导体器件及其制作方法、电子器件技术

本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法、电子器件，涉及半导体技术领域，用于改善半导体器件中电极的缺陷导致半导体器件可靠性失效的问题。半导体器件包括依次层叠设置的第一电极、第一半导体层、漂移层，以及位于漂移层内的第一阱和位于漂移层远离第一半导体层一侧的第二电极。第一电极与第一半导体层电连接，第二电极与第一阱电连接，且第二电极与第一电极的极性相反。此外，第二电极包括沿远离第一半导体层的方向上，层叠的第一金属层、金属阻挡层以及第二金属层，金属阻挡层与第一金属层和第二金属层欧姆接触。金属阻挡层用于阻隔酸液侵蚀第一金属层，使得酸液不会与位于金属阻挡层下方的第一金属层接触。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件及其制作方法、电子器件。

技术介绍

1、随着电力电子技术的快速发展，半导体器件在电力电子中的应用也越来越多样化。例如，在电力电子的开关领域，快速恢复二极管(fast recovery diode，frd)通常可以与绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，igbt)搭配构成双向开关，从而降低igbt开启过程中的过冲电流，或者，在igbt关断时，对igbt关断时产生的自感反向电压进行短路，以保护igbt。随着电力电子领域对电子器件的性能要求越来越高，对frd或者igbt的可靠性的要求也越来越高。然而，在制备frd或者igbt等半导体器件的过程中，一些制备工艺会导致上述半导体器件的电极出现缺陷，从而最终导致半导体器件的可靠性失效。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体器件及其制作方法、电子器件，用于改善半导体器件中电极的缺陷导致半导体器件可靠性失效的问题。

2、为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有多个有源区和多个所述第一阱；每个所述第一阱位于一个所述有源区内，且所述第一阱与所述漂移层的掺杂类型不同；所述多个有源区包括第一有源区和第二有源区；

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述金属阻...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件具有多个有源区和多个所述第一阱；每个所述第一阱位于一个所述有源区内，且所述第一阱与所述漂移层的掺杂类型不同；所述多个有源区包括第一有源区和第二有源区；

6.根据权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述金属阻挡层在所述第一半导体层上的垂直投影，位于所述第一阱在所述第一半导体层上的垂直投影的所在区域内。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二阱，所述第二阱设置于所述第一阱内，所述第二阱的掺杂类型与所述第一阱的掺杂类型不同，所述第二阱与所述第二电极电连接；

9.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄康荣，杨文韬，史建东，周鸣涛，宁润涛，王康，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：