一种不受工艺与偏压源影响的电压控制振荡器制造技术

本发明专利技术公开一种不受工艺与偏压源影响的电压控制振荡器。该电压控制振荡器包含一参考电流源模块与一周期信号产生模块。该参考电流源模块根据一参考电压，产生对应大小的参考电流。该周期信号产生模块根据该参考电流源模块所产生的参考电流大小，对应地产生相对频率的周期信号。该参考电流源模块利用放大器的负反馈机制以使得所输出的参考电流能维持预定的大小而不受工艺与偏压源的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电压控制振荡器(Voltage Control Oscillator, VC0)，特别是有 关一种不受工艺与偏压源影响的电压控制振荡器。
技术介绍
请参考图l。图1为一现有技术的电压控制振荡器100的示意图。电压控制振荡 器100包含参考电流源模块110及周期信号产生模块120。参考电流源模块110用来产生 参考电流IBIAS、 L及电压VA与VB。周期信号产生模块120根据电压VA与VB产生对应频率 的周期信号CLK。 参考电流源模块110包含P型金属氧化物半导体晶体管(P-type Metal OxideSemiconductor， PM0S) QP1、 QP2及N型金属氧化物半导体晶体管(N-type MetalOxide Semiconductor, NMOS) QN1 、 QN2。晶体管QP1的源极(第一端)耦接于偏压源V。。、栅极(控制 端)耦接于晶体管QP2的栅极、漏极(第二端)耦接于晶体管QN1的漏极。晶体管QP2的源极 (第一端)耦接于偏压源V,栅极(控制端)耦接于晶体管QP1的栅极、漏极(第二端)耦 接于晶体管QN2的漏极。晶体管QN1的源极(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种不受工艺与偏压源影响的电压控制振荡器，该电压控制振荡器根据一参考电压产生一对应频率的周期信号，其特征在于，该电压控制振荡器包含：一参考电流源产生模块，包含：一放大器，包含：一正输入端，用来接收该参考电压；一负输入端；及一输出端；一电阻，耦接于该放大器的该负输入端与一地端之间；及一第一晶体管，包含：一第一端，耦接于一偏压源；一控制端，耦接于该放大器的该输出端；及一第二端，该第一晶体管根据该参考电压，产生一参考电流；及一周期信号产生模块，用来根据该参考电流，输出该对应频率的周期信号。

【技术特征摘要】
一种不受工艺与偏压源影响的电压控制振荡器，该电压控制振荡器根据一参考电压产生一对应频率的周期信号，其特征在于，该电压控制振荡器包含一参考电流源产生模块，包含一放大器，包含一正输入端，用来接收该参考电压；一负输入端；及一输出端；一电阻，耦接于该放大器的该负输入端与一地端之间；及一第一晶体管，包含一第一端，耦接于一偏压源；一控制端，耦接于该放大器的该输出端；及一第二端，该第一晶体管根据该参考电压，产生一参考电流；及一周期信号产生模块，用来根据该参考电流，输出该对应频率的周期信号。2. 根据权利要求1所述的电压控制振荡器，其特征在于，该第一晶体管为一P型金属氧 化物半导体晶体管。3. 根据权利要求1所述的电压控制振荡器，其特征在于，该参考电流源模块另包含 一第二晶体管，包含一第一端，耦接于该偏压源；一控制端，耦接于该放大器的该输出端，用来提供一第一偏压；及一第二端；及一第三晶体管，包含一第一端，耦接于该地端；一控制端，耦接于该第二晶体管的该第二端，用来提供一第二偏压；及 一第二端，耦接于该第二晶体管的该第二端；其中该第一偏压与该第二偏压提供给该周期信号产生模块以根据该参考电流产生该 对应频率的周期信号。4. 根据权利要求3所述的电压控制振荡器，其特征在于，该第二晶体管为一P型金属氧 化物半导体晶体管；该第三晶体管为一 N型金属氧化物半导体晶体管。5. 根据权利要求3所述的电压控制振荡器，其特征在于，该电压控制振荡器模块包含N 个反相器模块，其中N为一正整数。6. 根据权利要求5所述的电压控制振荡器，其特征在于，该N个反相器模块中的第一个 反相器模块包含一第四晶体管，包含 一第一端，耦接于该偏压源；一控制端，耦接于该第二晶体管的该控制端，用来接收该第一偏压；及 一第二端，用来根据该第一偏压以输出该参考电流； 一第五晶体管，包含 一第一端，耦接于该地端；一控制端，耦接于该第三晶体管的该控制端，用来接收该第二偏压；及一第二端，用来根据该第二偏压以漏取该参考电流； 一反相器，包含一第一电流端，耦接于第四晶体管的该第二端，用来接收该参考电流； 一第二电流端，耦接于第五晶体管的该第二端，用来输出该参考电流； 一输入端，用来接收一输入信号；及一输出端，耦接于第二个反相器模块的反相器的输入端，用来输出该第一个反相器模 块的反相器所接收的输入信号的反相信号；及 一电容，耦接于该反相器的输出端。7. 根据权利要求6所述的电压控制振荡器，其特征在于，该第四晶体管为一P型金属氧 化物半导体晶体管；该第五晶体管为一 N型金属氧化物半导体晶体管。8. 根据权利要求5所述的电压控制振荡器，其特征在于，该N个反相器模块中的第K个 反相器模块包含一第四晶体管，包含 一第一端，耦接于该偏压源；一控制端，耦接于该第二晶体管的该控制端，用来接收该第一偏压；及 一第二端，用来根据该第一偏压以输出该参考电流； 一第五晶体管，包含 一第一端，耦接于该地端；一控制端，耦接于该第三晶体管的该控制端，用来接收该第二偏压；及 一第二端，用来根据该第二偏压以漏取该参考电流； 一反相器，包含一第一电流端，耦接于第四晶体管的该第二端，用来接收该参考电流； 一第二电流端，耦接于第五晶体管的该第二端，用来输出该参考电流； 一输入端，耦接于第(K-l)个反相器模块的反相器的输出端；及一输出端，耦接于第(K+l)个反相器模块的反相器的输入端，用来输出该第K个反相器 模块的反相器所接收的输入信号的反相信号；及 一电容，耦接于该反相器的输出端； 其中1 〈K〈N，且K为一正整数。9. 根据权利要求8所述的电压控制振荡器，其特征在于，该第四晶体管为一P型金属氧 化物半导体晶体管；该第五晶体管为一 N型金属氧化物半导体晶体管。10. 根据权利要求5所述的电压控制振荡器，其特征在于，该N个反相器模块中的第N 个反相器模块包含一第四晶体管，包含 一第一端，耦接于该偏压源；一控制端，耦接于该第二晶体管的该控制端，用来接收该第一偏压；及 一第二端，用来根据该第一偏压以输出该参考电流； 一第五晶体管，包含 一第一端...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏濬，张正男，赖祐生，
申请(专利权)人：钰创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]