【技术实现步骤摘要】
本公开大体上涉及半导体装置及形成半导体装置的方法。举例来说，本公开涉及交联半导体晶片的背磨胶带。
技术介绍
1、半导体封装包含容纳例如集成电路的一或多个半导体装置的壳体。半导体装置组件可在切割成裸片之前制造于半导体晶片上且接着封装。半导体封装保护内部组件免受损坏且包含用于将内部组件连接到外部组件(例如电路板)的构件，例如经由球、引脚或引线。半导体封装有时称为半导体装置组合件。
技术实现思路
1、在实例中，描述一种方法。所述方法包括将背磨胶带安装于半导体晶片上，其中所述半导体晶片包含一对面，所述一对面包含包括一或多个电路元件的第一面及相对第二面，且其中将所述背磨胶带安装于所述半导体晶片上包含将所述背磨胶带粘合到所述第一面。所述方法进一步包括：交联所述背磨胶带以借此提高所述背磨胶带的刚度；通过研磨所述第二面来背磨所述半导体晶片，直到所述半导体晶片达到特定厚度；及将所述背磨胶带从所述第一面移除以借此暴露所述一或多个电路元件。
2、在实例中，描述一种方法。所述方法包括：使背磨胶带的聚合...
【技术保护点】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过将压力施加于所述背磨胶带来平整所述背磨胶带。
3.根据权利要求2所述的方法，其中将压力施加于所述背磨胶带包含通过用于将所述背磨胶带安装到所述半导体晶片的胶带滚轮来施加压力。
4.根据权利要求2所述的方法，其中将压力施加于所述背磨胶带包含使用压力室施加压力。
5.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含跨所述第一面诱发交联密度变化。
6.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含跨所述第一面诱发基本上均匀交联密度。
<...【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括通过将压力施加于所述背磨胶带来平整所述背磨胶带。
3.根据权利要求2所述的方法，其中将压力施加于所述背磨胶带包含通过用于将所述背磨胶带安装到所述半导体晶片的胶带滚轮来施加压力。
4.根据权利要求2所述的方法，其中将压力施加于所述背磨胶带包含使用压力室施加压力。
5.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含跨所述第一面诱发交联密度变化。
6.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含跨所述第一面诱发基本上均匀交联密度。
7.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含将热施加于所述背磨胶带。
8.根据权利要求7所述的方法，其中将热施加于所述背磨胶带使用与用于将所述背磨胶带安装到所述半导体晶片的胶带滚轮相关联的加热器执行。
9.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含将红外光施加于所述背磨胶带。
10.根据权利要求9所述的方法，其中将红外光施加于所述背磨胶带使用与用于将所述背磨胶带安装到所述半导体晶片的胶带滚轮相关联的红外线灯执行。
11.根据权利要求1所述的方法，其中交联所述背磨胶带包含将红外光施加于所述背磨胶带及将热施加于所述背磨胶带。
12.根据权利要求1所述的方法，其中背磨所述半导体晶片包含背磨所述第二面直到所述半导体晶片具有小于40微米的厚度。
13.根据权利要求12所述的方法，其中与所述半导体晶片相关联的总厚度变化小于约1微米。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体晶片与多个动态随机存取存储器裸...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·H·沙阿，V·巴瓦那西，沈文豪，H·V·辛格，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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