用于静电放电保护的装置制造方法及图纸

提供用于静电放电保护的装置，所述装置包括：第一钳位电路，电连接在第一节点与第二节点之间；以及第二钳位电路，电连接在第二节点与第三节点之间，其中，第一钳位电路包括：第一可控硅整流器(SCR)，包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、第一导电类型的第三区域和第二导电类型的第四区域，第一区域连接到第一节点，第四区域连接到第二节点；以及第一栅电极，设置在沟道区域上方，沟道区域包括第二区域和第三区域的结，第二区域和第三区域在第一区域与第四区域之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及用于保护电路免受静电放电的装置，并且更具体地，涉及使用可控硅整流器的用于静电放电保护的装置。

技术介绍

1、静电放电(esd)可导致故障或甚至损坏集成电路。因此，集成电路可包括用于esd保护的组件，并且用于esd保护的组件可保护内部电路免受从集成电路的外部生成的esd。由于半导体工艺的发展，包括在集成电路中的元件的大小可减小，并且包括在集成电路中的元件的操作电压可被减小以降低功耗，并且为了更高的性能，输入和输出到集成电路的信号的频率可被增大。因此，可需要用于esd保护的组件来满足各种需求。

技术实现思路

1、实施例提供使用可控硅整流器来满足各种需求的提供静电放电保护的装置。

2、根据示例实施例的一个方面，一种装置包括：第一钳位电路，电连接在第一节点与第二节点之间；以及第二钳位电路，电连接在第二节点与第三节点之间，其中，第一钳位电路包括：第一可控硅整流器(scr)，包括第一导电类型的第一区域、第二导电类型的第二区域、第一导电类型的第三区域和第二导电类型的第四区域，第一区域连接到第一节点，第本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于静电放电保护的装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括：第二SCR和第二栅电极，

4.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括：第二SCR和第二栅电极，

5.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二SCR和第二栅电极，

6.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二SCR和第二栅电极，

7.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二SCR和第二栅电极，

8.根据权利要求2所述的装置，其中，...

【技术特征摘要】

1.一种用于静电放电保护的装置，包括：

2.根据权利要求1所述的装置，还包括：

3.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括：第二scr和第二栅电极，

4.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括：第二scr和第二栅电极，

5.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二scr和第二栅电极，

6.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二scr和第二栅电极，

7.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二scr和第二栅电极，

8.根据权利要求2所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二scr和第二栅电极，

9.根据权利要求1所述的装置，其中，第二钳位电路包括第二scr和第二栅电极，

10.根据权利要求9所述的装置，其中，第三钳位电路包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：都擎逸，郑镇雨，宋周永，全灿熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：