【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的检测结构，尤其是一种半导体器件中通孔或接触孔短路检测结构。
技术介绍
现在，半导体芯片的结构都是在硅衬底上制作各种器件，然后通过器件上面的金 属层的连线将器件相互连接，从而形成各种不同结构的电路。而半导体芯片中，通过通孔或 接触孔用来实现将器件与金属层的连线连接起来，并将器件的端点或者金属层上特定的电 路节点引出，从而能够与芯片以外的电路相连接。但是，由于半导体芯片工艺越来越复杂， 在半导体制作过程中，可能会因为各种各样的因素，诸如层间膜CMP(化学机械抛光)，钨 CMP，光刻干涉效应，颗粒，膜陷落等造成钨残留而引起短路，最终导致良率下降。 针对上述问题，现有技术中没有针对通孔和接触孔短路的专门电性能测试结构， 在线也只能靠在线外观检查(KLA)，失效时只能通过电特性失效分析才能确认。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种半导体器件中通孔或接触孔短路检测结 构，能够方便的检测出由于各种原因而造成的通孔或接触孔的短路，从而能够及时对工艺 进行调整，保证产品的合格率。 为解决上述技术问题，本专利技术半导体器件中通孔或接...
【技术保护点】
一种半导体器件中通孔或接触孔短路检测结构，其特征在于，在设置有规则排列的通孔或者接触孔的层间膜上面的金属层上设置两组相邻的金属连线，所述两组金属连线在正常状态下相互不导通，所述两组金属连线由其各自的通孔引出。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：董科，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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