高稳定性齐纳二极管及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种高稳定性齐纳二极管，包括：硅衬底；氧化硅，在硅衬底的上表面；Ｐ阱，在硅衬底之中；相邻的Ｐ型重掺杂区和Ｎ型重掺杂区，在Ｐ阱之中；二金属电极，在硅衬底的上表面，且分别接触Ｐ型重掺杂区和Ｎ型重掺杂区；所述齐纳二极管还包括：多晶硅，在Ｎ型重掺杂区上方的氧化硅上表面，所述多晶硅接零电位或低电位。本发明专利技术还公开了一种上述齐纳二极管的制造方法。本发明专利技术的创新之处在于，在Ｎ型重掺杂区上方的二氧化硅上淀积多晶硅，多晶硅接零电位。这样，Ｎ型重掺杂区表面的电场垂直地指向硅表面，将使得表面电流变成体电流，减小了硅与氧化硅界面处各种不利的因素对齐纳二极管稳定性的影响，从而有效地提高了齐纳二极管的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种齐纳二极管及其制造方法。
技术介绍
齐纳二极管(zener diode)又称稳压二极管，是一种主要工作在反向导通状态的 PN结二极管。普通的横向齐纳二极管的结构请参阅图l，硅衬底IO表面生长有一层氧化硅 11，硅衬底10上有P阱12， P阱12上有相邻的P型重掺杂区13和N型重掺杂区14，两个 金属电极15分别接触P型重掺杂区13和N型重掺杂区14。 上述齐纳二极管的制造方法，包括如下步骤 第1步，在硅片10表面生长一层氧化硅11 ; 第2步，采用离子注入工艺向硅衬底10注入P型杂质，形成P阱12 ;常用的P型 杂质为硼； 第3步，采用离子注入工艺向P阱12注入N型杂质，形成N型重掺杂区14 ;常用 的N型杂质为磷、砷、锑； 第4步，采用离子注入工艺向P阱注入P型杂质，形成P型重掺杂区13， P型重掺 杂区13紧邻N型重掺杂区14 ; 第5步，在N型重掺杂区14和P型重掺杂区13上方形成分别与之接触的两个金 属电极15。 上述结构的齐纳二极管工作时，PN结处于反偏状态，空穴从P型重掺杂区13流向 N型重掺杂区14，电子从N型重掺杂区14流向P型重掺杂区13。电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高稳定性齐纳二极管，包括：硅衬底；氧化硅，在硅衬底的上表面；Ｐ阱，在硅衬底之中；相邻的Ｐ型重掺杂区和Ｎ型重掺杂区，在Ｐ阱之中；二金属电极，在硅衬底的上表面，且分别接触Ｐ型重掺杂区和Ｎ型重掺杂区；其特征是：所述齐纳二极管还包括：多晶硅，仅在Ｎ型重掺杂区上方的氧化硅上表面，所述多晶硅接零电位或低电位。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱文生，吕赵鸿，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]