本发明专利技术涉及一种提高ＬＥＤ出光效率的固晶方法，包括如下步骤：在金属基座上带有反光层的ＬＥＤ晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一层适当范围的接着材料；完成后再将底面具有金属层的ＬＥＤ晶粒置于基座点有接着材料的固晶位置处，压实后升温到共晶温度，使ＬＥＤ晶粒底面的金属与基座通过锡膏实现共晶焊接；本发明专利技术接着材料只涂抹于ＬＥＤ晶粒与金属基座接触面，不影响ＬＥＤ立体发光，其周边发出的光通过固定凹坑反射出来，提高出光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及LED晶粒封装领域，确切的说是一种提高LED出光效率的固晶方 法。
技术介绍
在LED封装领域，固晶是一项重要步骤，其质量的好坏直接影响LED的出光 效率以及使用寿命，根据LED功率的大小以及封装工艺的不同所选择的固晶方式有所不 同， 一般来说，小功率LED晶粒通过绝缘胶固定电极引脚传热即可；功率稍大的LED可 通过导热银胶或硅胶粘连散热；对于瓦级LED通常采用高导热银胶或共晶焊接的方式固 定散热，共晶焊接由于导热性能优异在瓦级以上大功率LED封装中优势突出，而一般采 用的共晶合金和金属价格都比较高，固而采用共晶锡膏的工艺，在固晶时由于工艺以及 操作的问题往往将LED晶粒的一部分包裹在固晶胶内，如此包裹范围将影响LED出光， 同时由于现有封装结构的限制将有部分LED发出的光不能射出而影响到LED取光效率。
技术实现思路
为解决上述LED出光不足的问题，本专利技术提供了一种有助于提高LED出光效率 的固晶方法。 本专利技术的技术方案如下 一种提高LED出光效率的固晶方法，包括如下步骤 金属基座制备金属基座由高导热金属材料制成， 一般采用铜板表面镀银，金 属基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑内表面镀反光层，底面为固晶面。 接着材料制备接着材料优先选择共晶锡膏。 取胶及点胶利用点胶头蘸取共晶锡膏点附于金属基座上LED晶粒固定凹坑 底平面，涂抹厚度力求适中，接着材料只涂抹于金属基座LED晶粒固定凹坑的底平面 与LED晶粒底面金属的接触部位，保证一定的附着拉力而不至将晶粒其它面包裹在胶体 内。 共晶焊接步骤将底面具有金属层的LED晶粒置于基座点有锡膏的固晶位置 处，压实后经热板、烤箱或隧道炉等升温到共晶温度，使LED芯片底面的金属与基座通 过锡膏实现共晶焊接。 本专利技术的积极效果本专利技术固晶方式减少接着材料的覆盖面积，最大限度的减 少因接着材料的覆盖而阻碍LED光的出射，金属基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑 四周镀有反光层，如此LED发出的光经四周反光层的反射提高出射率，增强指向性。附图说明 图1 :为本专利技术固晶方法流程框图； 图2 :为本专利技术金属基座示意图； 图3 :为本专利技术点胶示意 图4:为共晶焊接后结构示意图。 附图中所指图例 1、金属基座2、反光层3、固晶面4、接着材料5、 LED晶粒 具体实施例方式—种提高LED出光效率的固晶方法，如图l所示包括金属基座的制备、接 着材料的制备、取胶及点胶、LED晶粒的制备，最后为共晶焊接，下面分述以上几个步 骤。 如图2所示为金属基座(1)，金属基座由高导热金属材料制成， 一般采用铜板表 面镀银，金属基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑通常采用喇叭口状，喇叭口内表面 抛光后镀反光层(2)，凹坑底面为固晶面(3)。 接着材料优先选择共晶锡膏。 LED晶粒的制备，本专利技术固晶方式适用于W级大功率LED晶粒的封装，而 0.5W以下的LED不需要共晶焊接。 如图3所示为点胶工序，利用点胶头蘸取接着材料(4)即共晶锡膏点附于金属基 座上LED晶粒固定凹坑底平面，涂抹厚度力求适中，接着材料只涂抹于金属基座LED晶 粒固定凹坑的底平面与LED晶粒底面金属的接触部位，保证一定的附着拉力而不至将晶 粒其它面包裹在胶体内。 如图4所示将底面具有金属层的LED晶粒置于基座点有锡膏的固晶位置处， 压实后经热板、烤箱或隧道炉等升温到共晶温度，使LED芯片底面的金属与基座通过锡 膏实现共晶焊接。权利要求一种提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于在金属基座上带有反光层的LED晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一层适当范围的接着材料；完成后再将底面具有金属层的LED晶粒置于基座点有接着材料的固晶面处，压实后升温到共晶温度，使LED晶粒底面的金属与基座通过锡膏实现共晶焊接。2. 根据权利要求1所述的一种提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于所述的金属基座由高导热金属材料制成，金属基座上布置有LED晶粒固定凹坑，凹坑内表面镀有反光层，底面为固晶面。3. 根据权利要求1所述的一种提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于所述的接着材料优先选择共晶锡膏。4. 根据权利要求1所述的一种提高LED出光效率的固晶方法，其特征在于所述的接着材料只涂抹于金属基座LED晶粒固定凹坑的底平面与LED晶粒底面金属的接触部位，接着材料对LED晶粒其它五面不产生包裹。全文摘要本专利技术涉及一种提高LED出光效率的固晶方法，包括如下步骤在金属基座上带有反光层的LED晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一层适当范围的接着材料；完成后再将底面具有金属层的LED晶粒置于基座点有接着材料的固晶位置处，压实后升温到共晶温度，使LED晶粒底面的金属与基座通过锡膏实现共晶焊接；本专利技术接着材料只涂抹于LED晶粒与金属基座接触面，不影响LED立体发光，其周边发出的光通过固定凹坑反射出来，提高出光效率。文档编号H01L33/00GK101692476SQ20091020168公开日2010年4月7日 申请日期2009年10月15日 优先权日2009年10月15日专利技术者吴海生, 缪应明, 黄莺, 黄金鹿 申请人:苏州中泽光电科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种提高ＬＥＤ出光效率的固晶方法，其特征在于：在金属基座上带有反光层的ＬＥＤ晶粒固定凹坑的底部固晶面上首先涂布一层适当范围的接着材料；完成后再将底面具有金属层的ＬＥＤ晶粒置于基座点有接着材料的固晶面处，压实后升温到共晶温度，使ＬＥＤ晶粒底面的金属与基座通过锡膏实现共晶焊接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄金鹿，黄莺，缪应明，吴海生，
申请(专利权)人：苏州中泽光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：32[]
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