改善RRAM器件低阻问题的方法技术

本发明专利技术提供一种改善RRAM器件低阻问题的方法，方法包括：提供一半导体结构，其包括层间介质层、金属互连结构、DNC层及通孔结构，其中，金属互连结构形成于层间介质层内，DNC层形成于层间介质层的表面，通孔结构形成于DNC层内，且与金属互连结构电连通；于DNC层及通孔结构的表面形成由下至上层叠的RRAM底部金属电极层、可变电阻介电层及RRAM顶部金属电极层；刻蚀RRAM顶部金属电极层、可变电阻介电层及RRAM底部金属电极层以于通孔结构的上方形成RRAM结构；通过N2O plasma处理工艺于RRAM结构的侧壁形成保护层。通过本发明专利技术改善了现有的RRAM器件所存在的低阻问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种改善rram器件低阻问题的方法。

技术介绍

1、rram(resistive random access memory，阻变式存储器)利用某些薄膜材料在外加电场的作用下表现出的两个或两个以上的不同电阻态来实现数据存储，是目前受到广泛关注的一种新型非易失性存储器，其典型结构为金属电极-氧化物-金属电极。在外电场的激励作用下，器件可在高、低阻态之间发生可逆转变，且其高、低阻态在电场撤销之后仍能够保持。rram具有擦写速度快、存储密度高、重复擦写次数高等众多优势。

2、forming(成型)过程是指rram第一次从初始的高阻态跳变为低阻态的过程，相反的处于低阻态的rram在被施加一定电压激励后可以转换为高阻态，低阻态跳变为高阻态的过程被称之为reset(重置)。经过reset过程后进入高阻态的rram也可以通过施加电压激励转换到低阻态，而这个过程不同于第一次的高阻态跳变低阻态，称之为set(复位)过程。

3、rram关键工艺开发过程中，rram电性能1r低阻(单个存储器的电阻)平均良率损失占比4％，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善RRAM器件低阻问题的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善RRAM器件低阻问题的方法，其特征在于，N2O plasma处理工艺的条件包括；处理时间为30s～60s，采用的功率包括500W～1000W。

3.根据权利要求1或2所述的改善RRAM器件低阻问题的方法，其特征在于，所述保护层的厚度包括

4.根据权利要求1所述的改善RRAM器件低阻问题的方法，其特征在于，刻蚀所述RRAM顶部金属电极层、所述可变电阻介电层及所述RRAM底部金属电极层以于所述通孔结构的上方形成所述RRAM结构的方法包括：p>

5.根据权...

【技术特征摘要】

1.一种改善rram器件低阻问题的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的改善rram器件低阻问题的方法，其特征在于，n2o plasma处理工艺的条件包括；处理时间为30s～60s，采用的功率包括500w～1000w。

3.根据权利要求1或2所述的改善rram器件低阻问题的方法，其特征在于，所述保护层的厚度包括

4.根据权利要求1所述的改善rram器件低阻问题的方法，其特征在于，刻蚀所述rram顶部金属电极层、所述可变电阻介电层及所述rram底部金属电极层以于所述通孔结构的上方形成所述rram结构的方法包括：

5.根据权利要求4所述的改善rram器件低阻问题的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括氮化硅层及形成于所述氮化硅层表面的氧化层。

6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯博程，麻尉蔚，张武志，曹亚民，杨斌，周维，王艳生，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：