三维存储装置及其制造方法制造方法及图纸

公开了三维(3D)存储装置和制造方法。所公开的3D存储装置可以包括：包括第一类型存储单元的阵列的第一半导体结构、包括不同于第一类型存储单元的第二类型存储单元的阵列的第二半导体结构、包括第一外围电路的第三半导体结构、以及包括第二外围电路的第四半导体结构。第一半导体结构和第二半导体结构在垂直方向上夹在第三半导体结构与第四半导体结构之间。

【技术实现步骤摘要】

本公开总体上涉及半导体，并且更具体地，涉及一种三维(3d)存储装置及其制造方法。

技术介绍

1、随着人工智能(ai)、大数据、物联网、移动设备和通信、以及云存储等的不断兴起和发展，对存储容量的需求呈指数级增长。

2、通过改进工艺技术、电路设计、编程算法和制造工艺，平面存储单元被缩放到更小的尺寸。然而，随着存储单元的特征尺寸接近下限，平面工艺和制造技术变得具有挑战性且成本高。因此，平面存储单元的存储密度接近上限。

3、三维(3d)存储器架构可以解决平面存储单元的密度限制。3d存储器架构包括存储阵列和用于促进存储阵列的操作的外围电路。

技术实现思路

1、在一个方面，本公开提供了一种三维(3d)存储装置，包括：第一半导体结构，包括第一类型存储单元的阵列；第二半导体结构，包括不同于第一类型存储单元的第二类型存储单元的阵列；第三半导体结构，包括第一外围电路；以及第四半导体结构，包括第二外围电路；其中，第一半导体结构和第二半导体结构沿垂直方向夹在第三半导体结构和第四半导体结构之间。

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【技术保护点】

1.一种三维(3D)存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的3D存储装置，其中：

3.根据权利要求2所述的3D存储装置，其中：

4.根据权利要求3所述的3D存储装置，其中：

5.根据权利要求4所述的3D存储装置，其中：

6.根据权利要求5所述的3D存储装置，其中：

7.根据权利要求6所述的3D存储装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的3D存储装置，其中：

9.根据权利要求8所述的3D存储装置，其中：

10.根据权利要求9所述的3D存储装置，其中：

>11.一种系统，包...

【技术特征摘要】

1.一种三维(3d)存储装置，包括：

2.根据权利要求1所述的3d存储装置，其中：

3.根据权利要求2所述的3d存储装置，其中：

4.根据权利要求3所述的3d存储装置，其中：

5.根据权利要求4所述的3d存储装置，其中：

6.根据权利要求5所述的3d存储装置，其中：

7.根据权利要求6所述的3d存储装置，还包括：

8.根据权利要求7所述的3d存储装置，其中：

9.根据权利要求8所述的3d存储装置，其中：

10.根据权利要求9所述的3d存储装置，其中：

11.一种系统，包括：

12.根据权利要求11所述的系统，其中：

13.根据权利要求12所述的系统，其中：

14.根据权利要求13所述的系统，其中：

15.根据权利要求14所述的系统，其中：

16.根据权利要求15所述的系统，其中：

17.根据权利要求16所述的系统，其中，所述存储装置还包括：

18.根据权利要求17所述的系统，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张坤，杨远程，周文犀，夏志良，赵冬雪，杨涛，刘磊，王迪，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：

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