三维NAND存储装置及其形成方法制造方法及图纸

公开了一种半导体装置，其包括在Z方向上向上堆叠并且平行于X‑Y平面延伸的N个层叠。N为大于1的整数。每个层叠包括交替的字线层和绝缘层。N个层叠包括第一层叠和与第一层叠相邻的第二层叠。多层叠栅缝隙(GLS)结构在X‑Z平面中延伸并且切割穿过N个层叠的字线层和绝缘层。多层叠GLS结构在第一层叠中具有第一侧壁，在第二层叠中具有第二侧壁，并且在第一层叠和第二层叠之间的边界处具有第三侧壁。第三侧壁连接第一侧壁和第二侧壁。

【技术实现步骤摘要】

技术介绍

1、随着集成电路中装置的关键尺寸缩小到平面存储单元技术的极限，设计人员一直在寻找用于堆叠存储单元的多个平面以实现更大的存储容量和更低的每位成本的技术。三维(3d)nand存储装置可以包括在衬底之上的交替绝缘层和字线层的堆叠体。存储单元串可以沿着穿过交替绝缘层和字线层的堆叠体的沟道结构形成。

技术实现思路

1、本公开的方面提供了一种半导体装置。半导体装置可以包括沿z方向向上堆叠并平行于x-y平面延伸的n个层叠。n为大于1的整数。x-y平面垂直于z方向并且具有x方向和垂直于x方向的y方向。每个层叠包括交替的字线层和绝缘层。n个层叠包括第一层叠和与第一层叠相邻的第二层叠。多层叠栅缝隙(gls)结构在x-z平面内延伸并切割穿过n个层叠的字线层和绝缘层。多层叠gls结构在第一层叠中具有第一侧壁，在第二层叠中具有第二侧壁，并且在第一层叠和第二层叠之间的边界处具有第三侧壁。第三侧壁连接第一侧壁和第二侧壁。

2、在实施例中，第二层叠位于第一层叠的顶部，并且第二侧壁的下边缘和第一侧壁的上边缘沿y方向交错本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二层叠位于所述第一层叠的顶部上，并且所述第二侧壁的下边缘与所述第一侧壁的上边缘沿所述Y方向交错。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第三侧壁平行于X-Y平面延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在对应于穿过所述多层叠GLS结构的Y-Z平面的横截面中，所述多层叠GLS结构的轮廓在所述第一层叠和所述第二层叠之间的所述边界处是不连续的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多层叠GLS结构包括分别对应于所述N个层叠并且在所述Z方向上堆叠的...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二层叠位于所述第一层叠的顶部上，并且所述第二侧壁的下边缘与所述第一侧壁的上边缘沿所述y方向交错。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述第三侧壁平行于x-y平面延伸。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在对应于穿过所述多层叠gls结构的y-z平面的横截面中，所述多层叠gls结构的轮廓在所述第一层叠和所述第二层叠之间的所述边界处是不连续的。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多层叠gls结构包括分别对应于所述n个层叠并且在所述z方向上堆叠的n个每层叠gls结构，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在对应于穿过所述多层叠gls结构的y-z平面的横截面中，所述两个邻近的每层叠gls结构中的所述下部的每层叠gls结构的顶部处的宽度小于所述两个邻近的每层叠gls结构中的所述上部的每层叠gls结构的底部处的宽度。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在对应于穿过所述多层叠gls结构的y-z平面的横截面中，所述两个邻近的每层叠gls结构中的所述下部的每层叠gls结构的顶部处的宽度大于所述两个邻近的每层叠gls结构中的所述上部的每层叠gls结构的底部处的宽度。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多层叠gls结构的所述第一侧壁穿过包括所述第一层叠的多个层叠。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二层叠位于所述第一层叠的顶部上，并且所述第一侧壁具有的第一斜率大于所述第二侧壁的第二斜率，所述第一斜率和所述第二斜率是相对于所述x-y平面限定的。

10.根据权利要求1所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贝贝，徐伟，袁彬，霍宗亮，薛磊，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：