发光器件与显示装置制造方法及图纸

本申请公开了一种发光器件与显示装置，发光器件包括：第一电极；第一发光单元，包括第一空穴传输层、第一量子点层与第一电子传输层；电荷产生层，包括第一电荷产生子层；第二发光单元，包括第二量子点层与第二电子传输层；第二电极；第一电子传输层的导带底能级与第一电荷产生子层的最低未占分子轨道能级具有第一能极差，第二电子传输层的导带底能级与第二电极的功函数具有第二能极差，其中，第一能极差大于或等于第二能极差。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，具体涉及一种发光器件与显示装置。

技术介绍

1、量子点具有发光波长可调谐，发光线宽窄，发光效率高，光、热及化学稳定性好等优点，经过溶液加工、旋涂或喷墨印刷成膜后集成到发光二极管(light-emitting diode，led)中可以作为有效的激子辐射复合中心，是应用于固态照明和全色平板显示的新一代发光材料。量子点发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)与传统的荧光粉led以及目前的有机led相比，用于显示和照明时，具有色域广、色纯度高、低功耗、低成本、易加工等优点。

2、最简单的qled器件由阴极、电子传输层、量子点层、空穴传输层和阳极组成。在qled器件中，量子点薄膜夹在电荷传输层中间，当正向偏压加到qled器件两端时，电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层进入量子点发光层；电子和空穴在量子点中复合发光。

3、近年来，为了提升led器件的发光效率，一种做法是将至少两层发光层堆叠设置形成叠层的led器件。这种叠层的led架构目前在qled中研究较少，如何对叠层ql本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层还包括设置于所述第一电荷产生子层与所述第二发光单元之间的第二电荷产生子层，所述第一空穴传输层的最高占有分子轨道能级与所述第一量子点层的价带顶能级具有第三能极差，所述第二电荷产生子层的最高占有分子轨道能级与第二量子点层的价带顶能级具有第四能极差，所述第三能极差大于或等于所述第四能极差。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一能极差与所述第二能极差的差值大于或等于1eV，且所述第一能极差与所述第二能极差的差值小于或等于2eV。

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【技术特征摘要】

1.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括：

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电荷产生层还包括设置于所述第一电荷产生子层与所述第二发光单元之间的第二电荷产生子层，所述第一空穴传输层的最高占有分子轨道能级与所述第一量子点层的价带顶能级具有第三能极差，所述第二电荷产生子层的最高占有分子轨道能级与第二量子点层的价带顶能级具有第四能极差，所述第三能极差大于或等于所述第四能极差。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一能极差与所述第二能极差的差值大于或等于1ev，且所述第一能极差与所述第二能极差的差值小于或等于2ev。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第三能极差与所述第四能极差的差值大于或等于0ev，且所述第三能极差与所述第四能极差的差值小于或等于1ev。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，第一电荷产生子层的材料选自空穴注入材料，所述第二电荷产生子层的材料选自空穴传输材料。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，第一空穴传输层的最高占有分子轨道能级大于或等于-5.5ev，且所述第二电荷产生子层的最高占有分子轨道能级小于或等于-5.3evev。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一空穴传输层的最高占有分子轨道能级大于或等于所述第二电荷产生子层的最高占有分子轨道能...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯文军，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：