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公开了一种半导体装置，其包括在Z方向上向上堆叠并且平行于X‑Y平面延伸的N个层叠。N为大于1的整数。每个层叠包括交替的字线层和绝缘层。N个层叠包括第一层叠和与第一层叠相邻的第二层叠。多层叠栅缝隙(GLS)结构在X‑Z平面中延伸并且切割穿过N...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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