【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料测量技术，具体指一种非接触式晶片厚度测量装置及方法，它主要用于液相外延生长前对晶片厚度的测量，它能够在非接触的状态下测量晶片厚 度，并且使晶片表面保持洁净。
技术介绍
对于薄膜材料，通过光谱方法测量薄膜的干涉，可以计算出厚度。但是，对于1毫 米左右的厚晶片，无法用薄膜干涉的方法测量厚度。常用的厚晶片厚度测量方法主要有台 阶仪和Z轴显微镜。台阶仪是一种接触式测量仪器，它利用一根硬度很高的金刚石指针， 在晶片表面均匀地走动，根据其起伏高度得出一条一维的曲线，从而能准确地得出晶片的 厚度。但是，由于台阶仪的指针要接触晶片表面，会对晶片表面有所损伤。Z轴显微镜是把 晶片置于玻璃平台上，通过光源聚焦对晶片进行测量，但是，玻璃平台和晶片之间会形成空 气层，厚度约10微米，并且，空气层的厚度会随晶片的尺寸、大小等因素变化，厚度不固定， 用这种方式测量误差也较大。对于水平滑舟式液相外延生长过程，晶片表面与滑舟之间需 要保持20微米的间隙，间隙太小，外延薄膜表面会被滑块擦伤，间隙太大，生长结束后生长 溶液不能被推干净而残留在外延薄膜表面。并且要求外延生长所...
【技术保护点】
一种非接触式晶片厚度测量装置，它主要包括不锈钢主框架（１）、上辅助硅片（２）和下辅助硅片（３），其特征在于：不锈钢主框架（１）是一块中间开有大小比晶片略大的槽的不锈钢钢板，不锈钢主框架（１）被上辅助硅片（２）和下辅助硅片（３）夹在中间并通过不锈钢螺丝（５）固定在一起；在上辅助硅片（２）上还开有一个直径为２ｍｍ的小孔（６）；待测晶片（４）安置在不锈钢主框架（１）的槽中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓静，魏彦锋，张传杰，徐庆庆，孙瑞赟，
申请(专利权)人：中国科学院上海技术物理研究所，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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