一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法技术

本发明专利技术属于集成电路技术领域，具体公开了一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，包括：在淀积扩散阻挡层前，先在暴露的铜表面上附着一层有机基团，防止原子层在淀积过程中，前驱体在铜表面的吸附，达到有选择性地淀积扩散阻挡层的目的。本发明专利技术可以实现扩散阻挡层在铜互连通孔底部以外的地方淀积扩散阻挡层，去除铜通孔中不必要的扩散阻挡层，降低通孔中的接触电阻从而降低这个系统的电阻，从而减小整个电路的ＲＣ延迟。

Method for selectively depositing copper interconnect diffusion barrier

The invention belongs to the technical field of integrated circuits, in particular discloses a selective deposition of copper interconnection diffusion layer method, including: the deposition of barrier diffusion barrier layer, first attached to a layer of organic groups on the surface of copper exposure, prevent the atomic layer in the deposition process, the precursor adsorption on the copper surface, to achieve selective the purpose of depositing the diffusion barrier layer. The invention can realize the diffusion barrier layer on the outside of the bottom place deposited copper interconnect via diffusion barrier, copper removal through holes and unnecessary diffusion barrier layer, reduce the contact resistance in the through hole so as to reduce the resistance of the system, thereby reducing the circuit delay RC.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于大规模集成电路
，及。涉及一种淀积扩散阻挡层技术，尤其涉
技术介绍
随着超大规模集成电路工艺技术的不断进步，半导体器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，超大规模集成电路中设计的金属导线变细使得金属电阻增大，产生的热量增多，从而产生了严重的电迁移现象，同时由于线间电容和金属电阻增大引起的延迟(RC Delay)也不断恶化，这些都大大影响了半导体芯片的性能。 与传统的铝相比，铜有以下优点第一，铜的电阻率更小(Cu: 1.7yQ/cm，Al: 3iiQ/cm)。第二，铜互连线的寄生电容比铝互连线小。第三，铜互连线的电阻小，使得铜互连线上功耗比铝互连小。第四，铜的抗电迁移率比铝好(Cu〈 107A/cm2， Al<106A/cm2)，不会因为电迁移产生连线空洞，从而提高了器件可靠性。因此，采用铜互连的器件能满足高频、高集成度、大功率、大容量、使用寿命长的要求，传统的铝互连工艺也逐渐被铜互连工艺所取代。 但是铜是一种重金属，在高温和加电场的情况下，可以在半导体硅片和二氧化硅中快速扩散，引起器件可靠性方面的问题，所以，在铜布线层和介质隔离层之间须加上防止铜扩散的扩散本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种选择性淀积铜互连扩散阻挡层的方法，其特征是，该方法包括下列步骤：　　提供一个互连结构的某一层布线已经完成的集成电路衬底；　　在所述衬底上依次淀积一层低介电常数介质层和一层刻蚀阻挡层；　　在低介电常数介质层和刻蚀阻挡层中开出一个开口，该开口的位置与所提供衬底的互连线沟槽的位置相符；　　在暴露的铜表面上吸附一层有机基团；　　淀积扩散阻挡层；　　去除有机基团并淀积籽晶铜；　　电化学镀铜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙清清，王鹏飞，丁士进，张卫，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：31[]