应用微波光子晶体的共面波导结构制造技术

技术编号:4173774 阅读:163 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种应用微波光子晶体的共面波导结构,该结构包括:用于高频传输的一电介质层(3);用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)由多个微波光子晶体单元结构(1)连接构成,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;用于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。本发明专利技术提供的这种应用微波光子晶体的共面波导结构,有效的减少了信号的泄漏,简化了制备工艺,使其更适合于单片微波集成,并能提高实共面波导的传输系数。

Coplanar waveguide structures using microwave photonic crystals

The invention discloses a coplanar waveguide structure applying microwave photonic crystal, the structure includes a dielectric layer for high frequency transmission (3); for a photonic crystal limit plane electromagnetic wave (2), the photonic crystal plane (2) is composed of a plurality of microwave photonic crystal single element structure (1) in the connection of a dielectric layer (3), and the dielectric layer (3) combined with a center conductor; for the propagation of electromagnetic waves (4), the center conductor (4) is a L type copper wire 50 ohm, 90 degree bend in the middle of the wire, in the dielectric layer (3), and the dielectric layer (3) closely. The application of microwave coplanar waveguide photonic crystal structure provided by the invention, can effectively reduce the signal leakage, simplifies the preparation process, make it more suitable for monolithic microwave integrated, and can improve the transmission coefficient of coplanar waveguide.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微波电路制备
,更具体说,是涉及一种应用微波 光子晶体的共面波导结构,该结构可以有效地减少由于微带线在九十度转 弯时引入的信号泄漏和损耗等信号不完整性问题,并能提高实施例中共面 波导的传输系数。
技术介绍
集成电路设计正向高频率,小体积,多元件的方向发展,这就导致电 路内部各元件及传输线之间相互的串扰和泄漏越来越大,尤其是在信号线 发生拐弯时,严重地制约了集成电路的发展。相应的,如何降低此现象的 负面影响也是电路设计和应用所面临的一个实际性的任务。光子晶体是具有频率带隙的周期介电材料,自20世纪80年代末提出 概念以来,受到了广泛关注,并且在微波频段得到了迅速发展,其应用有 微波光子晶体天线,微波光子晶体滤波器,微波光子晶体微带线等。在微带电路中,微波光子晶体的实现一般有两种方法, 一种是在介质 基片上沿微带线的纵向周期性地挖出小圆柱体单元而不穿透接地面,使得 在介质基片上形成小圆柱孔的周期性排列;另一种方法是在接地面上沿微 带线方向腐蚀成周期性排列的小孔,而保持介质基片不变。与前面三维结构不同的是,本专利技术提出一种新型的微波光子晶体共面 波导结构,在90度拐本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用微波光子晶体的共面波导结构,其特征在于,该结构包括: 用于高频传输的一电介质层(3); 用于限制电磁波的一光子晶体地平面(2),该光子晶体地平面(2)位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合;以及 用 于传播电磁波的一中心导体(4),该中心导体(4)是一根L型50欧姆铜导线,在导线中间位置发生90度弯折,位于该电介质层(3)之上,且与该电介质层(3)紧密结合。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:张昀哈森其其格任民鞠昱陈伟谢亮祝宁华
申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

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