The invention discloses a method for extracting MIM capacitor model, which comprises the following steps: (1) select at least three of the same size, same hole density but different perimeter MIM capacitor, edge capacitance; (2) the selection step (1) of a capacitor, and then select the capacitor through hole density the same but different area and perimeter of at least two MIM capacitor, capacitor capacitance extraction combined with edge surface area; (3) the selection step (1) and step (2) together with the capacitance capacitor, and then select the area and perimeter of the same but at least two MIM electricity hole density of different sizes, with edge capacitance and the surface area of the through hole capacitor capacitance extraction; (4) according to the through hole and the through hole capacitor density mapping and the data fitting, obtained through hole hole density function of capacitor; (5) the The function relation is written into the existing MIM model and a new MIM model is obtained. The invention can obtain more accurate MIM capacitance value and reduce error.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种集成电路中电容模型的提取方法,具体涉及一种金属-绝缘 物-金属(Metal-Insulator-Metal,简称MIM)电容模型的提取方法。
技术介绍
目前广泛应用的MIM电容,其基本结构如图1所示,MIM电容位于顶层 金属1和顶层金属的下一层金属2之间,由MIM电容上极板3和下一层金属2 构成了一个基本的平行板电容器。上极板3和下一层金属2均通过电介质中的 通孔4 (VIA)来连接顶层金属1,然后分别连接到针垫5 (PAD)和针垫6,则 针垫5和针垫6构成一个完整的可测量电容结构的两极。在进行电容测试的过程中,需要一个结构来去除测试当中使用的电缆,机 台等寄生电容的影响,这个结构一般和待测试的器件完全相同,就是把其一端 的电路断路就可以了。如图2所示,这里有个问题,断路的地方在什么位置, 不是可以随便选择的。必须考虑到制作工艺,器件的物理特性等因素。对于MIM 电容,最理想的断路点就是选择在通孔4和上极板3连接的地方,这样就可以 消除所有寄生的电容。但是这样选择,在制造上要添加数道工艺,增加了制造 成本和难度。所以,断路点的选择一般是在顶层金属1连接针垫5的电路上, 并且靠近MIM电容的地方。这样的处理可以使制造工艺简化,但是却对电容的 精确测量以及模型的准确提取带来了困难。具体来说,通孔4是一个由金属构成的锥形体,其本身就具有电容,而且, 连接上极板3到顶层金属1的通孔4不止一个,它们之间也存在电容,尤其是 当通孔4的密度比较高的时候,其产生的电容更是不可忽略。图2所示MIM电 容的测试校准结构不能消除通孔4产生的寄生电容,在现行的 ...
【技术保护点】
一种MIM电容模型的提取方法,其特征在于,包括如下步骤: (1)选取至少三个面积相同、通孔密度相同但周长不同的MIM电容,提取MIM电容的边缘电容; (2)选取步骤(1)中使用的一个电容,再选取与该电容通孔密度和周长相同但面积不同的至少两个MIM电容,结合得到的边缘电容提取MIM电容的面积电容; (3)选取步骤(1)和步骤(2)共同使用的电容,再选取与该电容面积和周长相同但通孔密度不同的至少两个MIM电容,结合得到的边缘电容和面积电容提取MIM电容的通孔电容; (4)根据获得的通孔电容和通孔密度为坐标制图,并对数据进行拟合,获得通孔电容对通孔密度的函数关系; (5)定义参数,将上述函数关系写入MIM现有的模型中,获得新的MIM模型。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:路向党,许丹,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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