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本发明公开了一种ＭＩＭ电容模型的提取方法，包括如下步骤：（１）选取至少三个面积相同、通孔密度相同但周长不同的ＭＩＭ电容，提取边缘电容；（２）选取步骤（１）中的一个电容，再选取与该电容通孔密度和周长相同但面积不同的至少两个ＭＩＭ电容，结合边缘...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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