栅极形成方法技术

一种栅极形成方法，包括：在基底上形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的多晶硅层；在所述多晶硅层上形成具有第一图形的掩模层，所述第一图形特征尺寸大于目标图形特征尺寸；利用包含第一图形特征尺寸参量在内的两个参量调整所述掩模层的修整工艺；执行所述掩模层的修整操作，获得具有第二图形的掩模层，所述第二图形特征尺寸等于目标图形特征尺寸；以所述具有第二图形的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。可更准确地控制掩模层的修整参数，以增强基底与基底之间修整操作的一致性，进而增强刻蚀后获得的栅极特征尺寸的一致性。

Gate forming method

A gate forming method includes: forming a polysilicon layer and the gate dielectric layer covers the gate dielectric layer on a substrate; forming a mask layer having a first pattern on the polysilicon layer, the first graphics feature size is greater than the target pattern feature size; trimming process using two parameter adjustment includes the first graphical features the size parameter, the mask layer; dressing operation the mask layer, access mask layer is provided with second graphics, the second graphics feature size equal to the target size on the graphic features; with a second pattern mask layer as a mask, etching the polysilicon layer, forming a gate. The trimming parameters of the mask layer can be more accurately controlled to enhance consistency between dressing operations between the substrate and the substrate, thereby enhancing consistency of the gate feature size obtained after etching.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体制造工艺中，日益增加的需求不断推动半导体制造工艺向着高集成度低功耗的方向发展。棚-极特征尺寸(critical dimens ion, CD ) 的不断减小是半导体制造工艺不断进步的象征之一 。当前，减小栅极特征尺寸的方法之一是使用更先进的光刻技术。但是， 目前，集成度和器件性能的要求使得场效应晶体管的栅极特征尺寸已缩 小至65纳米到45纳米，或者更低。传统的光刻工艺已经无力追上这一趋 势。如2005年6月29日公布的公开号为CN1632921的中国专利申请中所公 开的，目前业界使用的减小栅极特征尺寸的方法是增加一个额外的光 刻胶处理工艺，以利用现有设备得到特征尺寸低于投影光刻特征尺寸的 栅极。这种方法采用各向同性刻蚀法将光刻胶的特征尺寸修整至投影光 刻技术无法得到的尺寸。如图l所示，首先在覆盖基底10的多晶硅层20上 形成第 一光刻胶掩模30。所述第 一光刻胶掩模30的特征尺寸受限于投影 光刻工艺。可以看出，如果不进行光刻胶修整，则在经过后续各向异性 的多晶硅层刻蚀后，如图2所示，获得的栅极22的特征尺寸将等于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种栅极形成方法，其特征在于，包括：　在基底上形成栅介质层和覆盖所述栅介质层的多晶硅层；　在所述多晶硅层上形成具有第一图形的掩模层，所述第一图形特征尺寸大于目标图形特征尺寸；　利用包含第一图形特征尺寸参量在内的两个参量调整 所述掩模层的修整工艺；　执行所述掩模层的修整操作，获得具有第二图形的掩模层，所述第二图形特征尺寸等于目标图形特征尺寸；　以所述具有第二图形的掩模层为掩模，刻蚀所述多晶硅层，形成栅极。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张海洋，赵林林，黄怡，陈海华，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]