A method for removing photoresist layer includes providing a semiconductor substrate, a device layer after etching and photoresist mask for film formed on the semiconductor substrate; a gas containing oxygen ashing a photoresist layer, wherein the ashing temperature to be formed according to the cut-off MOS transistor leakage current size. In the process of forming the semiconductor device, the ashing temperature is selected by the size of the cut-off leakage current of the MOS transistor, so as to avoid the increase of the cutoff leakage current of the MOS transistor by the ashing process. The present invention by in situ formation of gate device in etching (Insitu) for ashing, ashing process in reducing the effects of cut-off leakage current at the same time, reduce the vacuum steps in reactive ion etching device, semiconductor device to speed up the cycle time.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
去除光刻胶层在半导体工艺中是一个经常用到的步骤，通常去除光刻胶 层通过灰化和去除灰化中产生的残留物两个步骤完成。灰化为一种等离子体作为媒介的剥离方法，通过该方法可在暴露于等离 子体时从半导体衬底剥离或除去光刻胶。灰化通常发生在蚀刻工艺后，在蚀 刻过程中光刻胶材料用作蚀刻图案到半导体衬底内的光掩膜。当灰化时希望 尽可能快地完全去除光刻胶和其它有机罩面层、聚合物/残留物，而不损失任 何包含底层的材料。现有技术公开了一种灰化工艺，包括如下过程通过附加加热装置例如 卣素灯，以不低于250。C的温度，直接加热上面装有半导体基片的卡盘或者加 热工艺室，然后通入含氧气体例如02供给加热过的工艺室，在此高温过程中， 气体分解成用来去除光刻胶的氧基，使光刻胶的表面氧化并且在其上形成含 碳的残留物，最后使用刻蚀剂选择性地去除该残留物。在申请号为200510080138的中国专利申请中还可以发现更多与上述技术 方案相关的信息。在形成MOS晶体管工艺中，包括形成栅极的工艺，下面参照附图对现有 技术形成栅极的工艺加以说明。参照图l，提...
【技术保护点】
一种去除光刻胶层方法，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有经过刻蚀的器件层以及用于掩膜的光刻胶层； 采用含氧气体灰化光刻胶层，其中， 所述灰化温度根据待形成的ＭＯＳ晶体管的截止漏电流的大小选取。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：魏莹璐，吴国燕，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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