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一种去除光刻胶层方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有经过刻蚀的器件层以及用于掩膜的光刻胶层；采用含氧气体灰化光刻胶层，其中，所述灰化温度根据待形成的ＭＯＳ晶体管的截止漏电流的大小选取。本发明在形成半导体器件的灰化过程中通过根据...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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