【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体装置制造的，更具体而言，涉及用于检测存储器装置中的字线短路的方法和装置。
技术介绍
1、在制造三维(3d)存储器阵列时，在包括交替堆叠的绝缘层和导电栅极层的每个堆叠结构的端部处形成阶梯踏板区域。通过在踏板区域中进行蚀刻来在踏板区域中形成连接到栅极层的接触通孔(ct)。然后填充ct以形成导电插塞，导电插塞用于从栅极层取出电信号。
2、随着存储器技术的发展以及存储器容量需求的增长，常常相应地调整3d存储器阵列的分布结构。当通过电子束(e束)检查机器来检查同一存储器阵列的多个位置(至少几十万个位置)，例如多个前述ct位置，以检测ct上的泄露时，由于ct分布的快速变化，难以迅速地将至少几十万被检测到的明电压对比(bvc)位置匹配到相应ct位置。因此，难以精确地识别对应于指示缺陷的bvc位置的ct位置，从而使得难以定位有缺陷的ct位置。
技术实现思路
1、本公开的一个方面提供了一种用于检测存储器装置中的字线短路的方法。所述方法包括：在针对所述存储器装置中的字线接触通孔(c...
【技术保护点】
1.一种用于检测存储器装置中的字线短路的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在确定所述ROI区域中的每个CT的坐标之后并且在审查所述ROI区域中的每个CT的所述坐标位置处的所述灰度值以确定所述CT是否是有缺陷的CT之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述ROI区域中的每个CT的所述坐标包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，确定每个轮廓的所述中心的所述坐标为每个CT的所述坐标包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，审查所述ROI区域中的每个第二CT的坐标位置处的所述灰度值...
【技术特征摘要】
1.一种用于检测存储器装置中的字线短路的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中，在确定所述roi区域中的每个ct的坐标之后并且在审查所述roi区域中的每个ct的所述坐标位置处的所述灰度值以确定所述ct是否是有缺陷的ct之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，确定所述roi区域中的每个ct的所述坐标包括：
4.根据权利要求3所述的方法，其中，确定每个轮廓的所述中心的所述坐标为每个ct的所述坐标包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其中，审查所述roi区域中的每个第二ct的坐标位置处的所述灰度值以确定所述ct是否为有缺陷的ct包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于确定所述有缺陷的ct而显示所述有缺陷的ct包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于确定所述有缺陷的ct而显示所述有缺陷的ct包括：
8.根据权利要求1所述的方法，其中，响应于确定所述有缺陷的ct而显示所述有缺陷的ct包括：
9.根据权利要求1所述的方法，其中，在针对所述存储器装置中的所述字线的所述ct的所述bvc图像中确定所述roi区域包括：
10.一种用于检测存储器装置中的字线短路的装置，包括：
11.根据权利要求10所述的装置，其中，在确定所述roi区域中的每个ct的所述坐标之后并且在审查所述roi区域中的每个ct的所述坐标位置处的所述灰度值以确定所述ct是否是有缺陷的ct之前，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文琪，李文龙，王班，陈金星，汪严莉，霍宗亮，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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