The present invention provides a vapor deposition system comprising an ion producing region, a reaction chamber, and a porous tube placed between the producing region and the reaction chamber. The producing region provides a first element of the plasma. The porous tube collects the plasma of the first element and a second element into the reaction chamber. The plasma of the first element and the second element in the reaction chamber are chemically bonded with one substrate to form a film layer.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种气相沉积系统，尤其是涉及一种等离子气相沉积系统。技术背景在半导体领域中，化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术是最基本也是最重要的薄膜成长方式之一，其基本过程是将反应源以气 体形式通入反应腔，其利用扩散经过边界层(boundary layer)到达基板表面； 并藉由基板表面提供的能量在基材表面进行氧化、还原或与基板反应等化学 反应，其生成物则因内扩散作用沉积于基板表面上。基本上，化学气相沉积 技术又分多种，目前产业界广泛应用的是有机金属化学气相沉积 (Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)，其广泛运用于各种不同 结构的组件上，尤其是III-V族光电组件上。MOCVD可以达到较佳平整度， 并且能沉积大部分的三元化合物及四元化合物，例如InGaAs及AlGalnP，以 及长出含铝化合物，例如应用广泛的砷化铝镓(AlGaAs)。在一些特别的情况 下，如在红外线方面运用极广的材料如KGa^AsyPLy四元化合物系统上， 只能以MOCVD系统加以成长。然...
【技术保护点】
一种气相沉积系统，其包含：一离子产生区、一反应腔，以及一置于该产生区与该反应腔之间的多孔管；该离子产生区解离具有第一元素的气体分子而提供一第一元素的等离子，该多孔管将该第一元素的等离子及一第二元素汇集导入该反应腔；该第一元素的等离子及该第二元素于该反应腔中与一基板进行化学气相磊晶使成长一薄膜层。
【技术特征摘要】
1.一种气相沉积系统，其包含一离子产生区、一反应腔，以及一置于该产生区与该反应腔之间的多孔管；该离子产生区解离具有第一元素的气体分子而提供一第一元素的等离子，该多孔管将该第一元素的等离子及一第二元素汇集导入该反应腔；该第一元素的等离子及该第二元素于该反应腔中与一基板进行化学气相磊晶使成长一薄膜层。2. 如权利要求1所述的气相沉积系统，其特征在于该离子产生区为一高 频离子产生器；该反应腔为一中频加热器。3. 如权利要求2所述的气相沉积系统，其特征在于该中频加热器可将该 基板及该气相沉积系统的温度控制在室温至摄氏900度之间。4. 如权利要求1所述的气相沉积系统，其特征在于该第一元素为一 V 族元素。5. 如权利要求4所述的气相沉积系统，其特征在于该V族元素是选自 氨或氮之一或其混合物。6. 如权利要求1所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹世雄，曾坚信，
申请(专利权)人：先进开发光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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