一种晶体管制备方法及晶体管技术

本发明专利技术提供了一种晶体管制备方法及晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一外延片；在外延片的远离衬底的表面涂布光阻材料，以形成光阻层后进行第一烘烤；采用I线光刻机在对第一烘烤后的光阻层进行曝光、显影处理，以在光阻层上形成凹槽；在凹槽内以及未曝光的光阻层表面涂布光刻胶；对光刻胶进行第二烘烤，使得光阻材料中的第一光酸发生剂扩散至光刻胶内，与光刻胶中的第二光酸发生剂发生光酸化学反应，形成交联层；采用清洗液去除剩余光刻胶，以在外延片表面形成预设宽度的光栅，在光栅内沉积金层作为闸极得到目标晶体管。本发明专利技术的晶体管制备方法，工艺简单，可以在不增加成本的基础上制备超细线宽的光栅，扩大了晶体管的适用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，具体涉及一种晶体管制备方法及晶体管。

技术介绍

1、集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构。

2、高电子迁移率晶体管(hemt)是集成电路制备过程中的重要部件之一，普通结构的hemt具有良好的高频、高速性能，但是也存在有一个很大的问题，那就是其性能的温度稳定性较差，hemt中的二维电子气(2-deg)浓度将随温度而变化，从而导致hemt的阈值电压不稳定。赝调制掺杂异质结场效应晶体管(pseudomorphic hemt，phemt)，采用调制掺杂异质结可有效的消除温度对元件的的影响，获得足够稳定而良好的器件性能。

3、砷化镓phemt因其具有良好的高频特性，被广泛应用于毫米波和微波通信系统，目前采用常规的光刻机或电子束设备获得器件的光栅宽度一般在0.3um左右，然而随着工作频率不断提高，phe本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述外延片包括依次沉积的非掺杂GaAs层、非掺杂AlGaAs层、第一n型AlGaAs层、有源层、第二n型AlGaAs层、n型GaAs层。

3.根据权利要求2所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述第一n型AlGaAs层和所述第二n型AlGaAs层均采用Si进行掺杂，所述第一n型AlGaAs层中Si的掺杂浓度为1.0E+12cm3-1.5E+12cm3，所述第二n型AlGaAs层中Si的掺杂浓度为4.0E+12cm3-4.5E+12cm3。>

4.根据权利...

【技术特征摘要】

1.一种晶体管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述外延片包括依次沉积的非掺杂gaas层、非掺杂algaas层、第一n型algaas层、有源层、第二n型algaas层、n型gaas层。

3.根据权利要求2所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述第一n型algaas层和所述第二n型algaas层均采用si进行掺杂，所述第一n型algaas层中si的掺杂浓度为1.0e+12cm3-1.5e+12cm3，所述第二n型algaas层中si的掺杂浓度为4.0e+12cm3-4.5e+12cm3。

4.根据权利要求1所述的晶体管制备方法，其特征在于，所述光阻层的厚度为所述第一烘烤温度为90℃-120℃，烘烤时间为60s-90s。

5.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘坤明，侯汉成，宋嘉铭，茆同海，
申请(专利权)人：华通芯电南昌电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：