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本发明提供了一种晶体管制备方法及晶体管，制备方法包括以下步骤：提供一外延片；在外延片的远离衬底的表面涂布光阻材料，以形成光阻层后进行第一烘烤；采用I线光刻机在对第一烘烤后的光阻层进行曝光、显影处理，以在光阻层上形成凹槽；在凹槽内以及未曝光的...
该专利属于华通芯电（南昌）电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华通芯电（南昌）电子科技有限公司授权不得商用。

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