一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR；所述激光器还包括：设置于曲面介质膜DBR一侧的平面基板；所述平面基板用于支撑所述氮化镓基垂直腔面发射激光器、并作为所述氮化镓基垂直腔面发射激光器中一侧的电极，且该平面基板的热导率≥100Wm/K，电导率≥7×10<supgt;6</supgt;S/m，厚度范围为10‑500μm。本发明专利技术引入平面基板后，不仅可避免传统器件因为较薄的自支撑外延层引起的易碎难题，而且可进一步改善器件散热和电流拥堵。具有热导率的平面基板，有助于有源区层中产生的热量通过n型氮化物层传导至平面基板，改善器件的散热效果。同时，由于平面基板为高电导率的平面，可进行垂直电流注入，改善器件电流拥堵效应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及氮化镓基垂直腔面发射激光器，尤其涉及一种氮化镓基垂直腔面发射激光器及其制备方法。

技术介绍

1、氮化镓(gan)基半导体材料，是一种直接带隙的宽禁带半导体，由于其具有禁带宽度从紫外覆盖到近红外、化学稳定性好、电子迁移率高、和抗辐射能力强等优点，被广泛用于制备可见光发光器件。gan基垂直腔面发射激光器(vcsel)是一种新型半导体激光器，具有阈值低、波长稳定性好、体积小、光束特性好、容易实现单模激射等优点，在可见光通信、生物化学传感、高分辨率激光打印/扫描、全彩显示，数据存储等方面有着广泛的应用前景，是近几年来的研究热点之一。

2、目前，氮化镓基垂直腔面发射激光器主要有两种典型结构：双介质膜分布布式拉格反射镜(dbr)结构，以及由介质膜dbr和氮化物dbr组合成的混合dbr结构。氮化物dbr，具有高反带带宽窄、制备条件苛刻和高昂成本等问题，只有少数研究单位使用。与之相比，介质膜dbr具有大的高反带带宽，和易于制备等优点，目前被大多数研究单位采用。

3、对于双介质膜结构的gan基vcsel，根据上下dbr反射镜结构的不同，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜DBR、谐振腔介质、平面介质膜DBR；

2.如权利要求1所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，

4.如权利要求1所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，

5.一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4任一项所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，所述方法包括如下步骤：

6.如权利要求5所述的一种氮化镓基垂直腔...

【技术特征摘要】

1.一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，根据所述激光器的外延片的生长方向依序包括：曲面介质膜dbr、谐振腔介质、平面介质膜dbr；

2.如权利要求1所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，

4.如权利要求1所述的一种氮化镓基垂直腔面发射激光器，其特征在于，

5.一种氮化镓基垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-4任一项所述的一种氮化镓基垂直腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张保平，杨涛，梅洋，石磊，应磊莹，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：