【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电镀领域,尤其涉及一种电镀设备及电镀方法。
技术介绍
1、目前半导体电镀技术中,电镀均匀性是电镀工艺的关键,电镀液中存在空气泡会使得电镀均匀性差。在实际生产过程中,电镀液从电镀工艺腔回流至储液槽的过程中极易产生或引入气泡,从而使电镀液中存在气泡使得电镀均匀性差。
技术实现思路
1、本专利技术要解决的技术问题是为了克服现有技术中电镀液中容易产生气泡导致电镀均匀性差的缺陷,提供一种电镀设备及电镀方法。
2、本专利技术是通过下述技术方案来解决上述技术问题:
3、一种电镀设备,其包括溢流槽、第一环形件和第二环形件,所述溢流槽的上部具有封闭所述溢流槽的盖体,在竖直方向上所述第一环形件位于所述第二环形件的下方,所述第一环形件和所述第二环形件的内侧共同围绕形成电镀槽,所述电镀槽具有进液口,且所述第一环形件的顶部和所述第二环形件的底部之间形成有溢流口,所述溢流槽通过所述溢流口与所述电镀槽连通,所述溢流槽通过排液口进行排液,通过控制所述进液口的进液流量和所述排液口的排液
...【技术保护点】
1.一种电镀设备,其特征在于,其包括溢流槽、第一环形件和第二环形件,所述溢流槽的上部具有封闭所述溢流槽的盖体,在竖直方向上所述第一环形件位于所述第二环形件的下方,所述第一环形件和所述第二环形件的内侧共同围绕形成电镀槽,所述电镀槽具有进液口,且所述第一环形件的顶部和所述第二环形件的底部之间形成有溢流口,所述溢流槽通过所述溢流口与所述电镀槽连通,所述溢流槽通过排液口进行排液,通过控制所述进液口的进液流量和所述排液口的排液流量,使得电镀槽内电镀液的液位能完全淹没所述溢流口并保持在预设高度。
2.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,所述电镀槽内的电镀液通过溢流
...【技术特征摘要】
1.一种电镀设备,其特征在于,其包括溢流槽、第一环形件和第二环形件,所述溢流槽的上部具有封闭所述溢流槽的盖体,在竖直方向上所述第一环形件位于所述第二环形件的下方,所述第一环形件和所述第二环形件的内侧共同围绕形成电镀槽,所述电镀槽具有进液口,且所述第一环形件的顶部和所述第二环形件的底部之间形成有溢流口,所述溢流槽通过所述溢流口与所述电镀槽连通,所述溢流槽通过排液口进行排液,通过控制所述进液口的进液流量和所述排液口的排液流量,使得电镀槽内电镀液的液位能完全淹没所述溢流口并保持在预设高度。
2.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,所述电镀槽内的电镀液通过溢流口进行溢流时,会发生毛细管现象将所述溢流口完全填充。
3.如权利要求1或2所述的电镀设备,其特征在于,所述溢流口的高度为2mm。
4.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,所述溢流口为环形缺口。
5.如权利要求1或4所述的电镀设备,其特征在于,所述进液口设置在所述电镀槽的底部,且所述进液口位于所述电镀槽的底部中央,所述溢流口位于所述电镀槽的上部,且所述溢流口位于所述电镀槽的侧面。
6.如权利要求4所述的电镀设备,其特征在于,所述溢流槽环绕所述电镀槽的周向设置。
7.如权利要求1、4、6中任一项所述的电镀设备,其特征在于,所述盖体与所述第二环形件是一体的。
8.如权利要求1所述的电镀设备,其特征在于,所述电镀设备还包括氮气装置,所述氮气装置用于向所述溢流槽内输送氮气。
9.如权利要求8所述的电镀设备,其特征在于,所述氮气装置包括用于向所述溢流槽输送氮气的氮气管,所述氮气管的出气口设置在所述溢流槽内,且所述出气口位于所述溢流口的...
【专利技术属性】
技术研发人员:史蒂文·贺·汪,印琼玲,
申请(专利权)人:新阳硅密上海半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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